时间：2025/8/6 14:42:06
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CCSS-2R2K-04 是一款由 CEL（California Eastern Laboratories）生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、负载开关和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用小型封装设计，具有良好的热性能和高可靠性，适用于对空间要求较高的便携式电子产品和嵌入式系统。CCSS-2R2K-04 的最大漏源电压为 -20V，最大连续漏极电流为 -4A，适合低电压、中等功率的应用环境。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
最大连续漏极电流（ID）：-4A
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（典型值，VGS=-4.5V）
导通阈值电压（VGS(th)）：-0.8V 至 -1.5V
封装形式：SOT-23-6
CCSS-2R2K-04 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低导通损耗并提高系统效率。其低栅极电荷（Qg）使其适用于高频开关应用，减少开关过程中的能量损耗。此外，该器件的封装设计提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定的运行温度。CCSS-2R2K-04 的栅极驱动电压范围宽泛，支持 -4.5V 至 -8V 的控制信号，便于与多种电源管理 IC 配合使用。其内置的静电放电（ESD）保护功能也增强了器件在复杂工作环境下的耐用性和可靠性。
该 MOSFET 在工作过程中表现出良好的温度稳定性，即使在高电流和高温环境下也能保持一致的电气性能。这使得 CCSS-2R2K-04 成为电池供电设备、便携式充电器、智能传感器和工业控制系统的理想选择。
CCSS-2R2K-04 常用于电源管理电路中，例如电池充电和放电控制、负载开关、DC-DC 转换器以及电压调节模块。它也适用于低功耗嵌入式系统、手持设备和智能穿戴设备中的电源控制应用。此外，在需要高可靠性和紧凑设计的汽车电子系统和工业控制系统中，该 MOSFET 也具有广泛的应用前景。
Si4435BDY-T1-GE3, FDC6303L, BSS84
