BSS84AKM 时间：2025/9/15 2:02:15 阅读：32

BSS84AKM 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽技术制造，具有出色的导通性能和热稳定性。该器件广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及各种低电压、中等功率的电子系统中。其封装形式为 SOT-223，便于散热和安装。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 VDS：-100V
　　最大栅源电压 VGS：±20V
　　最大连续漏极电流 ID（在 25°C 下）：-100mA
　　最大功耗 PD：1W
　　导通电阻 RDS(on)（典型值）：4.5Ω（在 VGS = -10V 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

BSS84AKM MOSFET 具备多项优异特性，适合多种应用场景。首先，其低导通电阻（RDS(on)）使其在导通状态下损耗更低，从而提高系统效率。其次，该器件具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作。此外，BSS84AKM 采用了先进的沟槽技术，提高了电流密度和开关速度，适合用于高频开关应用。其 SOT-223 封装形式具有良好的散热能力，适用于需要较高功率密度的设计。此外，该器件具备较强的抗静电能力和可靠性，适用于工业级和汽车电子应用。
　　在电气性能方面，BSS84AKM 的栅极驱动电压范围较宽，支持 -10V 至 0V 的栅压控制，便于与多种驱动电路兼容。其漏极电流能力虽然不大，但由于其低导通电阻，特别适合用于小功率负载开关或作为控制电路中的主开关器件。此外，该 MOSFET 的反向恢复特性较好，适合用于同步整流等应用。在汽车电子中，BSS84AKM 常用于电池管理系统、车身控制模块和传感器供电控制等场合。

应用

BSS84AKM 常用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效、小型化功率控制的场景。典型应用包括：DC-DC 转换器中的高边或低边开关、电池管理系统中的负载控制、LED 照明驱动电路、工业自动化设备中的继电器替代、汽车电子中的车身控制模块、传感器电源控制以及各种小型开关电路。此外，由于其良好的热稳定性和封装散热性能，也适用于一些需要长期运行的嵌入式系统。