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IRFU9024N 发布时间 时间:2025/5/10 14:19:13 查看 阅读:2

IRFU9024N是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252(D2PAK)封装,适合于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在中等功率应用中提供高效率和良好的热性能。
  这款MOSFET的主要特点是其低栅极电荷和优化的RDS(on),能够显著降低传导损耗和开关损耗,非常适合于需要高效能和快速开关的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:15nC
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-252 (D2PAK)

特性

IRFU9024N具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),有助于减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,得益于低栅极电荷(15nC)。
  3. 高额定电流(38A),适用于大电流应用。
  4. 宽工作温度范围(-55℃至175℃),使其可以在各种恶劣环境下使用。
  5. 采用TO-252封装,便于安装并具备良好的散热性能。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

IRFU9024N广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
  3. 电动工具和小型电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的功率控制。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理。
  6. 汽车电子系统的辅助功率模块(如需符合汽车级标准,请选择车规版本)。

替代型号

IRLZ44N, FDP067N06L, STP90NF06L

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IRFU9024N参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C175 毫欧 @ 6.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大38W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU9024N