类型：增强模式氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：40 A
　　脉冲漏极电流（ID_pulse）：160 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值11 mΩ，最大值13 mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：典型值1.5 V，范围1.3 V ~ 1.7 V
　　输入电容（Ciss）：约10600 pF
　　输出电容（Coss）：约920 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：接近于0 C（无体二极管反向恢复）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：PB22G
　　安装方式：表面贴装（SMD/SMT）
　　栅极驱动电压建议：+5 V（导通），0 V（关断）
　　峰值工作频率：支持高达数MHz的开关频率

GET40NFPB22GV的核心优势在于其基于氮化镓材料的高性能半导体结构，使其在高频、高效率电源转换系统中表现卓越。首先，该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为11 mΩ，这意味着在大电流工作条件下，导通损耗显著低于传统硅MOSFET，从而提升了系统的整体能效，并减少了散热需求。其次，由于采用了增强模式设计，器件在栅极为零电压时处于关断状态，极大简化了驱动电路设计，避免了复杂的负压偏置需求，提高了系统的安全性和可靠性。此外，GaN器件本身没有体二极管，因此不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这一特性有效消除了开关过程中的反向恢复损耗和噪声，特别适用于硬开关和高频软开关拓扑，如LLC谐振转换器、有源钳位反激（ACF）和同步整流等。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。GET40NFPB22GV具备极快的开关速度，支持高达数MHz的开关频率，使得电源系统可以使用更小的磁性元件和电容，大幅减小系统体积和重量，实现高功率密度设计。同时，该器件的低寄生电感封装（PB22G）优化了内部互连结构，降低了开关过程中的电压过冲和振铃现象，提升了系统的电磁兼容性（EMC）表现。热管理方面，PB22G封装具有良好的热传导路径，能够将芯片产生的热量高效传递至PCB，配合适当的散热设计可确保长期稳定运行。此外，该器件支持并联使用，由于其正温度系数的导通电阻特性，多个器件并联时能实现自然均流，进一步提升系统功率处理能力。
　　在可靠性方面，GaN Systems对GET40NFPB22GV进行了严格的器件级和晶圆级测试，包括高温栅极偏置（HTGB）、高温反向偏置（HTRB）和动态应力测试等，确保其在恶劣工作环境下仍能保持稳定性能。器件还具备一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中提供一定程度的自我保护。综合来看，GET40NFPB22GV凭借其低损耗、高频率、小尺寸和易用性，成为现代高效电源系统中替代传统硅器件的理想选择。

GET40NFPB22GV广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。在数据中心和服务器电源领域，该器件可用于48 V至12 V中间母线转换器（IBC）和负载点（PoL）电源模块，利用其高频特性缩小磁性元件体积，提升能效以满足日益增长的算力需求。在电信基础设施中，该器件适用于高密度AC-DC整流器和DC-DC转换器，帮助通信基站和光传输设备实现更高的能源利用率和更低的运营成本。工业电源系统，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和工业UPS，也受益于其快速响应和高可靠性，能够在复杂电磁环境中稳定运行。
　　在可再生能源领域，GET40NFPB22GV可用于光伏微型逆变器和储能系统的DC-AC逆变器，其低开关损耗有助于提高太阳能发电的整体转化效率。此外，在电动汽车充电系统中，无论是车载充电机（OBC）还是直流快充桩，该器件都能在PFC（功率因数校正）级和DC-DC变换级中发挥关键作用，支持更高功率等级和更快充电速度。消费类高端电源，如游戏笔记本电脑适配器、高功率USB-C PD充电器，也开始采用此类GaN器件以实现轻薄化设计。此外，激光驱动器、医疗电源和航空电子设备等对体积和效率要求极高的特种电源系统，也是GET40NFPB22GV的重要应用方向。随着GaN技术的成熟和成本下降，该器件的应用范围仍在持续扩展。

GS-065-011-1-D