型号：2SK2251
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.4A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：17.6A
　　最大功耗（Pd）：1W
　　导通电阻Rds(on)：35mΩ（@ Vgs=10V, Id=2.2A）
　　导通电阻Rds(on)：45mΩ（@ Vgs=4.5V, Id=2.2A）
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF（@ Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@ Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@ Vds=15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：18ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SK2251采用了高性能的沟槽式MOSFET结构，这种设计显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高整体效率。其低至35mΩ的Rds(on)在同类小封装器件中表现突出，有助于在大电流应用中维持较低的工作温升，延长系统寿命。同时，由于使用了优化的硅基工艺，该器件在高温下仍能保持稳定的电气性能，确保在严苛环境中的可靠运行。
　　该MOSFET具备快速开关能力，开启延迟时间仅为8ns，关断延迟时间为18ns，使其非常适合用于高频开关电源拓扑如同步整流、降压（Buck）或升压（Boost）转换器中。快速的开关响应不仅提高了电源转换效率，还允许使用更小的外围滤波元件，进一步缩小整体电源模块的体积。此外，低输入电容和反向传输电容有助于降低驱动功率需求，并减少噪声耦合，提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。
　　2SK2251的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器或低压逻辑IC进行控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低成本。器件内部集成了一定程度的ESD保护机制，能够在装配和使用过程中抵御一定程度的静电冲击，增强生产良率和现场可靠性。SOT-23封装虽然体积小巧，但通过合理的PCB布局可以实现良好的散热效果，适用于空间受限但对性能要求较高的应用场景。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。其高重复性制造工艺保证了批次间参数的一致性，有利于大规模自动化生产中的质量控制。综合来看，2SK2251在性能、尺寸、功耗和成本之间实现了良好平衡，是许多中低功率电源管理方案中的优选器件。

2SK2251广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型的应用领域包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中的电源管理模块。在这些设备中，它常被用作负载开关、电池充放电控制或DC-DC电压调节的核心元件，以实现精确的电源通断控制和能量效率最大化。
　　在通信设备中，2SK2251可用于射频前端模块的偏置电源控制或低噪声放大器的供电切换，凭借其快速响应和低导通电阻优势，有效减少信号路径上的电压跌落和功率损耗。此外，在工业控制与自动化系统中，该器件适用于传感器供电管理、继电器驱动电路或小型电机的H桥驱动单元，尤其适合对空间和功耗敏感的嵌入式控制系统。
　　在LED照明应用中，2SK2251可作为恒流源开关或调光控制中的主控开关管，配合PWM信号实现高效的亮度调节功能。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，即使在长时间运行条件下也能保持稳定的光输出。另外，在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于单节或多节锂电池的保护电路，执行过流、短路和反接保护等功能，保障电池组的安全运行。
　　由于其SOT-23封装的小型化特点，2SK2251特别适合用于高度集成的模块化设计，例如电源管理集成电路（PMIC）外围配套、FPGA或ASIC的辅助电源开关，以及各种微型电源适配器和无线充电接收端电路。其广泛的适用性和成熟的供应链使其成为工程师在开发新型低功耗电子产品时的重要选择之一。

2SK3018
　　DMG2305UX
　　FDS6670A
　　AO3400