器件类型：GaN HEMT
　　工艺技术：GaN-on-SiC
　　工作频率：DC ~ 28 GHz
　　输出功率：约600W（峰值脉冲）
　　漏极电压：Vds = 28 V 或 50 V（典型）
　　栅极电压：Vgs = -3.5 V 至 0 V 可调
　　增益：14 dB @ 28 GHz
　　效率：PAE > 55%（典型）
　　输入/输出阻抗：50 Ω 匹配
　　封装类型：陶瓷法兰封装（Flanged Package）
　　热阻：Rth < 0.5 °C/W
　　线性度：OIP3 > 45 dBm（典型）
　　驻波比：VSWR < 2.0:1（全频带）

GEM600-28G的核心优势在于其采用的氮化镓-on-碳化硅（GaN-on-SiC）半导体工艺，这一技术赋予了器件卓越的高频响应能力和高击穿电场强度。相比传统的砷化镓（GaAs）或LDMOS器件，GEM600-28G能够在更高的电压下工作，从而实现更高的输出功率密度和能量转换效率。其宽禁带特性使得器件可在高达200°C的结温下稳定运行，显著提升了系统的热管理裕度。此外，该器件具有非常低的寄生电容和电感，优化了在毫米波频段下的阻抗匹配性能，减少了外部匹配网络的复杂性。
　　该器件在28 GHz频段仍能维持超过14 dB的小信号增益和600 W级别的脉冲输出功率，表现出优异的宽带放大能力。其漏极效率（PAE）通常超过55%，在连续波（CW）和脉冲工作模式下均能保持高效运行，有助于降低系统功耗和冷却成本。内部结构设计采用了多管芯并联与分布式布局，增强了电流承载能力和热均匀性，避免局部热点导致的可靠性下降。
　　GEM600-28G还具备良好的线性度和互调抑制能力，适合用于需要高动态范围的数字调制系统，如5G NR毫米波基站和宽带卫星通信链路。其输入和输出端口经过片外匹配优化，支持50欧姆系统直接集成，简化了射频电路设计流程。同时，该器件对静电放电（ESD）具有一定的防护能力，并可通过负压栅极偏置实现精确的偏置控制和温度补偿，提升长期工作的稳定性。

GEM600-28G广泛应用于需要高功率、高频率和高效率的射频系统中。在军事领域，它被用于相控阵雷达、电子战（EW）系统和导弹导引头中的发射模块，支持快速扫描和远距离探测能力。在民用通信方面，该器件是5G毫米波基站功率放大级的理想选择，特别是在大规模MIMO天线系统中，能够提供足够的输出功率以覆盖城市密集区域。此外，在卫星通信地球站和低轨卫星（LEO）通信终端中，GEM600-28G可用于上行链路的高功率放大，保障高速数据传输的可靠性。
　　该器件也适用于点对点微波回传系统，尤其是在E频段（71–76 GHz）前端的本振驱动或预放大级应用中，尽管其主要工作频段为28 GHz以下，但通过倍频或级联方式仍可拓展至更高频段。在测试与测量设备中，GEM600-28G可用作宽带信号源的输出级，支持高功率射频信号生成，满足EMC测试或雷达仿真需求。由于其出色的可靠性和环境适应性，该器件还可部署于航空航天和极端气候条件下的远程监测系统中，作为关键射频功率组件。

QPD1028
　　AMMC-6F015SC8
　　CGHV1J0600D