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HY5PS1G831CFR-Y5 发布时间 时间:2025/9/2 5:38:49 查看 阅读:5

HY5PS1G831CFR-Y5 是由 Hynix(现为 SK Hynix)生产的一款高性能、低功耗的移动 LPDDR4 SDRAM 芯片。该型号专为便携式和高性能计算设备设计,如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。该芯片采用 313-ball BGA 封装,具备较高的存储密度与数据传输速率。

参数

制造商:SK Hynix
  产品类型:LPDDR4 SDRAM
  存储容量:1Gb(128MB)
  数据宽度:8位
  电源电压:1.1V
  时钟频率:最高支持 1600MHz
  数据速率:3200Mbps
  封装类型:313-ball BGA
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  工作电压:1.1V (VDD) / 1.1V (VDDQ)

特性

HY5PS1G831CFR-Y5 具备低电压(1.1V)工作特性,显著降低功耗,适用于电池供电设备。其高速数据传输速率达到 3200Mbps,有助于提高系统的整体性能。芯片内部集成了 8 位数据宽度的 I/O 接口,并支持多种低功耗模式,如深度掉电模式和自刷新模式,进一步延长设备的电池续航时间。此外,该芯片支持温度补偿自刷新(TCSR)和自动刷新功能,确保数据在高温环境下也能稳定存储。其采用的 313-ball BGA 封装方式,不仅提高了封装密度,也增强了散热性能,满足高性能应用需求。
  在信号完整性方面,该芯片采用了差分时钟(CK_t/CK_c)和数据选通(DQS_t/DQS_c)机制,以提升数据同步精度和抗干扰能力。此外,其内部支持突发长度为 16 的突发传输模式,能够有效提升数据吞吐效率。

应用

HY5PS1G831CFR-Y5 主要用于需要高性能和低功耗内存解决方案的便携式电子设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要高速数据处理能力的物联网(IoT)设备。由于其具备高带宽和低功耗特性,该芯片也常用于图像处理、视频播放、多任务处理等对内存性能要求较高的场景。此外,该芯片还可用于工业控制设备、汽车信息娱乐系统(IVI)以及智能穿戴设备等需要可靠内存支持的应用领域。

替代型号

MT51J128M16A2B4-0Y2:Micron 的 LPDDR4 SDRAM 芯片,具备相似的容量与性能特性;K4FAB164QB-BGCH:三星的 LPDDR4 芯片,适用于类似的高性能低功耗应用场景。

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