时间：2025/9/14 19:31:08
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PHP23NQ11T,127是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的双N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和低导通电阻的电源管理场景。该器件采用小型化的LFPAK56封装，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理以及各种功率控制电路。
类型：功率MOSFET
沟道类型：N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：14A
导通电阻（RDS(on)）：9.2mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：LFPAK56
PHP23NQ11T,127的主要特点之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。该器件在30V的漏源电压下工作，适用于中低电压应用，如电源管理模块和负载开关。其最大漏极电流为14A，能够在高电流负载下保持稳定性能。
此外，该MOSFET具有±20V的栅极电压耐受能力，增强了其在高压瞬态环境中的可靠性。封装采用LFPAK56形式，是一种无引脚的表面贴装封装，具有优异的热性能和空间节省优势，非常适合高密度PCB设计。该封装还减少了寄生电感，提高了高频开关性能。
PHP23NQ11T,127的工作温度范围为-55°C至175°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工业环境。其内部结构优化，提供了卓越的热传导性能，有助于降低结温并提高长期运行的稳定性。
PHP23NQ11T,127主要应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电池管理系统、电机驱动、功率放大器、电源管理模块、服务器和通信设备的电源部分，以及各种需要高效能N沟道MOSFET的功率控制电路。
Si4410BDY, IRF7413TRPBF, FDS4410AS
