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STF6NM60N 发布时间 时间:2025/7/22 16:17:38 查看 阅读:4

STF6NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET,由意法半导体(STMicroelectronics)生产。这款晶体管主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和马达控制电路。STF6NM60N采用先进的平面条形技术,提供了优异的导通电阻和热性能,使其在高功率应用中表现卓越。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):6A
  漏源电压(VDS):600V
  栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):1.2Ω(最大)
  功率耗散(PD):40W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220

特性

STF6NM60N MOSFET采用了先进的平面条形技术,提供了卓越的导通性能和热稳定性,确保在高负载条件下依然能保持稳定的运行。这款晶体管的低导通电阻(RDS(on))降低了导通损耗,提高了电源转换效率,适用于高频率开关应用。此外,STF6NM60N具有良好的抗雪崩击穿能力,确保在极端条件下也能安全运行。
  该器件的封装设计便于安装和散热管理,适用于需要高可靠性和长寿命的工业级应用。STF6NM60N的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V和12V驱动电路,方便与多种控制IC配合使用。其快速开关特性使其在DC-DC转换器和逆变器中表现出色,减少了开关损耗并提高了整体系统效率。

应用

STF6NM60N广泛应用于多种电力电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器、马达控制电路、照明镇流器和逆变器等。此外,该器件也常用于工业自动化设备、不间断电源(UPS)以及家电产品中的电源管理模块。

替代型号

STF8NM60N, STF10NM60N

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STF6NM60N参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C920 毫欧 @ 2.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds420pF @ 50V
  • 功率 - 最大20W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件