H9730Q50 时间：2025/9/16 2:26:39 阅读：5

H9730Q50是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频率和高功率应用设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和优异的开关性能，使其成为电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效能功率开关的场合的理想选择。H9730Q50封装形式为DFN5x6，具备良好的热管理和空间利用率，适合现代电子产品对小型化和高效能的双重要求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：DFN5x6

特性

H9730Q50具备多项优异特性，适用于各种高要求的功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著减少导通损耗，提高整体系统的能效。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，优化了电流密度分布，从而降低了开关损耗并提升了器件的可靠性。此外，H9730Q50具有较高的栅极电荷（Qg）值，确保在高频工作环境下依然保持稳定的开关性能。DFN5x6封装不仅提供了优良的散热性能，而且其无引脚设计减少了寄生电感，进一步提升了高频应用中的效率。该器件的工作温度范围广泛，能够在极端环境条件下稳定运行，增强了其在工业和汽车应用中的适用性。最后，H9730Q50具备较高的抗静电能力和过热保护性能，使其在恶劣的工作环境中依然保持良好的稳定性和耐用性。

应用

H9730Q50广泛应用于多种功率电子系统中，尤其适合需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括：电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关；电机驱动和控制电路，适用于工业自动化和机器人技术；电池管理系统（BMS）和能量存储系统，特别是在新能源领域；汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电池逆变器和LED照明驱动电路；此外，H9730Q50也适用于服务器、通信设备和高端消费类电子产品中的电源管理模块。由于其优异的导通和开关性能，H9730Q50能够有效提高系统的整体效率和稳定性，同时降低发热量，延长设备的使用寿命。