时间：2025/10/29 23:15:40
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GE28F320C3BC90 是一款由英特尔（Intel）推出的32兆位（4MB）NOR闪存芯片，属于其早期的并行接口闪存产品线。该器件采用先进的Flash存储技术，能够在单个芯片上实现非易失性数据存储，适用于需要快速读取和可靠存储的应用场景。GE28F320C3BC90 支持标准的微处理器总线接口，便于集成到各种嵌入式系统中。该芯片通常用于工业控制、通信设备、网络设备以及消费类电子产品中，作为程序存储或固件存储介质。它具备较高的耐用性和数据保持能力，能够在恶劣环境下稳定运行。该器件封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），便于在高密度PCB布局中使用。尽管这款芯片已逐渐被更先进的低功耗、高密度闪存所取代，但在一些老旧设备维护和工业升级项目中仍具有一定的应用价值。
制造商：Intel
系列：StrataFlash
存储容量：32 Mbit
组织结构：4M x 8/2M x 16
电压范围：2.7V 至 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP-48
接口类型：并行
编程电压：内部电荷泵提供
访问时间：90ns
写入周期：典型1秒（整片擦除）
耐久性：10万次擦写周期
数据保持期：10年
该芯片采用Intel的NOR Flash技术，具备快速随机读取能力，支持X8/X16两种数据宽度模式，允许系统根据总线配置灵活选择操作方式。其内部集成了电荷泵电路，无需外部高压编程电源即可完成编程与擦除操作，简化了电源设计。
GE28F320C3BC90 支持块状架构管理，将整个存储空间划分为多个可独立擦除的块区域，包括多个较小的参数块和较大的主数据块，便于实现细粒度的数据管理和固件更新功能。该特性特别适合需要频繁更新部分代码而保留其余内容不变的应用场景。
该器件支持软件命令集控制，通过向特定地址写入预定义指令序列来执行复位、读取ID、擦除、编程等操作。同时具备硬件写保护功能，可通过设置WP#引脚防止意外写入或擦除，增强了数据安全性。
内置的状态轮询机制允许系统在编程或擦除操作期间查询操作是否完成，避免盲目等待，提高了系统响应效率。此外，还支持待机和深度掉电模式以降低功耗，在空闲状态下显著减少能量消耗，延长电池供电系统的运行时间。
该芯片具有良好的抗干扰能力和宽温工作范围，可在工业级温度条件下稳定运行，适用于严苛环境下的长期部署。其高可靠性与成熟的工艺技术使其成为许多传统嵌入式系统中的首选存储解决方案之一。
广泛应用于网络路由器、交换机等通信设备中用于存放启动代码和操作系统；在工业自动化控制系统中作为PLC或HMI设备的固件存储器；适用于打印机、POS终端、医疗仪器等需要可靠非易失性存储的嵌入式设备；也常用于汽车电子模块中进行配置信息或诊断程序的保存。由于其并行接口特性，适合对读取速度要求较高但写入频率较低的应用场合。此外，在一些军用和航空航天领域的旧型设备中也有应用，因其经过长期验证具备高稳定性与兼容性。随着现代设备向小型化和低功耗发展，该芯片多见于现有系统的维护与替换需求中。
Intel JS28F320C3TC90, Intel E28F320C3TC90
