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IXGK35N120BD1 时间：2023/3/6 14:57:34 阅读：270

制造商: IXYS

封装 / 箱体: TO-264AA

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

概述

制造商: IXYS

封装 / 箱体: TO-264AA

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

集电极最大连续电流 Ic: 70 A

封装: Tube

配置: Single

最大工作温度: + 150 C

最小工作温度: - 55 C

安装风格: Through Hole

资料

厂商
IXYS

IXGK35N120BD1推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

IXGK35N120BD1
深圳市郓州科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/TO264

IXGK35N120BD1
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8913
IXYS
23+/TO264 (IXGK)

IXGK35N120BD1
深圳市科鑫美电子有限公司
28683
IXYS
21+/TO264

IXGK35N120BD1
深圳市佳微科技有限公司
5000
CYPRESS/赛普拉斯
23+/NA

IXGK35N120BD1
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
18850
IXYS
19+/TO264

IXGK35N120BD1
深圳市跃创芯科技有限公司
25000
IXYS/艾赛斯
22+/TO264

IXGK35N120BD1
深圳市安富世纪电子有限公司
6000
IXYS/艾赛斯
23+/TO264

IXGK35N120BD1
深圳市威雅利发展有限公司
7300
IXYS
23+/TO3PL

IXGK35N120BD1
海芯未来半导体电子（深圳）有
7300
IXYS
22+/TO3PL

IXGK35N120BD1
深圳市创芯联盈电子有限公司
4500
IXYS/艾赛斯
23+/TO264

IXGK35N120BD1
深圳市小联小商贸有限公司
7300
IXYS
23+/TO3PL

IXGK35N120BD1
中扬电子（深圳）有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/TO264

IXGK35N120BD1
深圳市怡兴业电子科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/TO264

IXGK35N120BD1
中科航电（深圳）电子集团有限
1300
IXYS
1810+/TO3PL

IXGK35N120BD1
深圳市赛恒电子科技有限公司
8600
IXYS/艾赛斯
21+/TO264

IXGK35N120BD1
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
12300
IXYS
24+/TO264

IXGK35N120BD1
深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
4500
IXYS/艾赛斯
23+/TO264

IXGK35N120BD1
深圳市腾桩电子有限公司
7300
IXYS
23+/TO3PL

IXGK35N120BD1
深圳市科鑫美电子有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/TO264

IXGK35N120BD1
深圳市河锋鑫科技有限公司
9000
IXYS
2023+/TO264 (IXGK)

IC词条百科

IXGK35N120BD1参数

标准包装25
类别分离式半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列HiPerFAST™
IGBT 类型-
电压 - 集电极发射极击穿（最大）1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）3.3V @ 15V，35A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）70A
功率 - 最大350W
输入类型标准型
安装类型通孔
封装/外壳TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装TO-264AA
包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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