HV1E477M0810PZ 是一款高压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高电压驱动的场景。该器件采用先进的制造工艺,具备优异的开关特性和低导通电阻,能够有效降低功耗并提高系统效率。
此芯片主要针对工业和汽车应用设计,适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动器以及电源管理模块等场景。其封装形式紧凑,便于集成到复杂电路中。
类型:MOSFET
最大漏源电压(VDS):800V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):0.2Ω
总功耗(PD):250W
工作温度范围(TJ):-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
HV1E477M0810PZ 具有以下显著特点:
1. 高击穿电压:支持高达 800V 的漏源电压,适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻:在大电流条件下提供较低的 RDS(on),从而减少功率损耗。
3. 快速开关性能:优化的栅极电荷设计使其具有快速的开关速度,有助于降低开关损耗。
4. 热稳定性强:能够在极端温度范围内稳定工作,特别适合恶劣环境的应用。
5. 高可靠性:通过了多项严苛测试,确保长期使用中的可靠性和一致性。
6. 小型化封装:采用 TO-247 封装,既保证散热性能又节省空间。
HV1E477M0810PZ 常见的应用领域包括:
1. 开关电源(SMPS):如适配器、充电器及工业用 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动:用于各种交流和直流电机控制。
3. 工业设备:如焊接机、逆变器和 UPS 系统。
4. 汽车电子:例如电动助力转向系统(EPS)、车载充电器(OBC) 和 HEV/EV 动力系统。
5. LED 驱动器:为高功率 LED 提供高效的驱动解决方案。
HV1E477M0805PZ, IRFP460, STP10NK90Z