类型：齐纳二极管
　　齐纳电压（Vz）：8.2V
　　最大耗散功率（Ptot）：200mW
　　最大齐纳电流（Izmax）：20mA
　　最小齐纳电流（Izmin）：0.25mA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOD-323、SOT-23等
　　温度系数：±50 ppm/°C
　　动态电阻（Zzt）：约10Ω（典型值）

GDZJ8.2B具有多个关键特性，使其适用于多种电子电路设计。首先，其稳定的齐纳电压确保在反向击穿状态下能够提供精确的电压调节，适用于对电压精度要求较高的应用场景。其次，该器件的最大耗散功率为200mW，适合用于低功率电路中，同时具备较高的能效表现。GDZJ8.2B的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，使其在各种环境条件下都能稳定运行。此外，该齐纳二极管的封装形式多样，如SOD-323和SOT-23，便于在不同电路设计中灵活使用。GDZJ8.2B还具有较低的温度系数，能够在温度变化较大的环境中保持电压稳定性，从而提高电路的整体可靠性。其动态电阻较低，有助于减小电压波动，提高稳压性能。

GDZJ8.2B广泛应用于各种电子设备和电路中，特别是在需要稳定电压输出的场合。例如，在电源电路中，该器件可以作为电压参考源，用于调节输出电压，确保电路在不同负载条件下保持稳定。此外，GDZJ8.2B也可用于信号调节电路中，用于限制信号电压的波动范围，保护后续电路免受过压损坏。在模拟电路中，该齐纳二极管可以作为基准电压源，为运算放大器或其他模拟器件提供稳定的参考电压。GDZJ8.2B还适用于电池供电设备、传感器电路、嵌入式系统等低功耗应用场合。由于其良好的温度稳定性和响应速度，该器件在工业自动化、消费电子、通信设备等领域也得到了广泛应用。

BZT52C8V2、MMBZ5231B、1N4735A、1N5231B、ZMM8V2