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GD25Q64CSIGR 发布时间 时间:2024/4/30 16:02:11 查看 阅读:474

GD25Q64CSIGR(64M位)串行闪存支持标准串行外围接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0(SI)、I/O 1(SO)、I/O(WP#)和I/O(HOLD#)。双I/O数据以240Mbit/s的速度传输,四路I/O和四路输出数据以480Mbit/s速度传输。

基础介绍

  厂商型号:GD25Q64CSIGR

  品牌名称:GigaDevice(兆易创新)

  元件类别:MCU

  封装规格:SOP-8_ 208mil

  型号介绍:64M闪存

特点

  ●64M位串行闪存

  -8192K字节

  -每个可编程页面256字节

  ●标准、双路、四路-标准:SCLK、CS#、SI、SO、WP#。HOLD#-双SPI:SCLK、CS#、。WP#。HOLD#-Quad:SCLK。CS#100。101. 102. 103

  -高速时钟频率120MHz,用于30PF负载的快速读取-双I/O数据传输高达240Mbit/s-四I/O数据传输敢达480Mbit/s–连续读取,8/16/32/64字节环绕

  -软件/硬件Wnte保护-Wnite通过软件保护内存的所有部分-启用WP#引脚禁用保护-顶部/底部块保护

  -最少100000个编程/擦除周期

  -允许(就地执行)操作)

  ●数据保留期

  -典型的20年数据保留

中文参数

商品分类NOR FLASH品牌GigaDevice(兆易创新)
封装SOP-8_ 208mil包装

原理图

GD25Q64CSIGR原理图

GD25Q64CSIGR原理图

引脚

GD25Q64CSIGR原理图

GD25Q64CSIGR引脚图

封装

GD25Q64CSIGR封装图

GD25Q64CSIGR封装

料号解释

GD25Q64CSIGR料号解释图

GD25Q64CSIGR料号解释

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GD25Q64CSIGR图片

GD25Q64CSIGR

GD25Q64CSIGR参数

  • 现有数量55,037现货
  • 价格1 : ¥10.18000剪切带(CT)2,000 : ¥7.04366卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率120 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,2.4ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP