型号：BD80GA3WEFJ-E2
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N-Channel MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.0A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　导通电阻（RDS(on) max）：65mΩ（@VGS=10V, ID=2A）
　　导通电阻（RDS(on) max）：80mΩ（@VGS=4.5V, ID=2A）
　　阈值电压（Vth min）：1.0V
　　阈值电压（Vth max）：2.3V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@VDS=40V）
　　输出电容（Coss）：170pF（@VDS=40V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@VDS=40V）
　　栅极电荷（Qg）：8nC（@VGS=10V）
　　功耗（Ptot）：1W（@Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：EFJ (TSLP6x3)
　　安装类型：表面贴装（SMD）

BD80GA3WEFJ-E2采用ROHM专有的沟槽栅极结构MOSFET工艺，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。其最大RDS(on)在VGS=10V时仅为65mΩ，在VGS=4.5V时为80mΩ，表明该器件不仅在标准驱动电压下表现优异，还能在较低栅极驱动电压条件下维持较低的导通损耗，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。这种低电压驱动能力使其能够与现代微控制器或电源管理IC无缝配合，无需额外的电平转换电路。
　　该器件具有出色的开关特性，输入电容（Ciss）为600pF，反向传输电容（Crss）仅为40pF，有助于减少开关过程中的能量损耗并提高开关频率响应能力，适用于高频开关电源设计。同时，较低的栅极电荷（Qg=8nC）进一步降低了驱动电路所需的功耗，提高了系统的动态响应性能。这些特性使得BD80GA3WEFJ-EFJ-E2特别适合用于DC-DC降压变换器、同步整流电路以及负载开关等对效率和响应速度要求较高的场合。
　　在可靠性方面，该MOSFET支持宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），可在高温环境下稳定运行，并具备良好的热稳定性。其采用的TSLP6x3小型封装不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局和内部连接方式提升了散热性能。此外，器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准（如适用），可用于汽车电子系统中的辅助电源模块或车载信息娱乐系统的电源管理部分。整体而言，BD80GA3WEFJ-E2是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的N沟道MOSFET，适用于多种中低压功率开关应用。

BD80GA3WEFJ-E2广泛应用于需要高效、紧凑型功率开关解决方案的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块，作为负载开关用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和延长电池续航时间。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流器，替代传统肖特基二极管，以降低导通压降和功率损耗，从而提升转换效率，尤其适用于3.3V、5V或12V输入的降压型电源架构。
　　此外，该器件也适用于工业控制设备中的电源分配系统，例如PLC模块、传感器供电单元以及嵌入式控制器的辅助电源。由于其具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力，也可用于电池管理系统（BMS）中作为充放电通路的控制开关，确保电池安全可靠地接入主电路。在汽车电子领域，BD80GA3WEFJ-E2可用于车身控制模块、LED照明驱动、车载充电器以及远程无钥匙进入系统的电源管理部分，满足车载环境对元器件小型化和高耐热性的双重需求。
　　另一个重要应用是热插拔电路和过流保护电路，利用其快速开关特性和可控的导通状态，实现对后级电路的安全上电与故障隔离。结合适当的栅极驱动和保护电路，该MOSFET可以有效防止浪涌电流对系统造成损害。总之，凭借其低导通电阻、小封装尺寸和高可靠性，BD80GA3WEFJ-E2在各类中低功率电源开关应用中展现出优异的综合性能。

DMG8008LSD-7
　　SI2302DS-T1-E3
　　AO3400A
　　FDS6670A