GCQ1555C1HR15BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,能够在高频工作条件下保持高效性能。
其封装形式为TO-263(D2PAK),具备出色的散热性能,适用于高功率密度设计。此外,GCQ1555C1HR15BB01D还支持过温保护和过流保护功能,确保在极端条件下的系统可靠性。
型号:GCQ1555C1HR15BB01D
类型:N沟道增强型MOSFET
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):50A
Qg(栅极电荷):38nC
Bvdss(击穿电压):60V
Vgs(栅源电压):±20V
f(工作频率):高达1MHz
Tj(结温范围):-55°C至175°C
封装:TO-263(D2PAK)
GCQ1555C1HR15BB01D具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够减少传导损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷(Qg),适合高频应用。
3. 高电流承载能力(Id),支持大功率输出。
4. 宽广的工作温度范围(Tj),适应恶劣环境下的使用需求。
5. 内置热保护和过流保护功能,提升系统的安全性和可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且易于焊接和集成到电路板中。
7. 优化的封装设计,提供良好的散热性能,简化了热管理设计。
GCQ1555C1HR15BB01D适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流管。
3. 电机驱动应用中的逆变器桥臂。
4. 工业自动化设备中的负载切换和控制。
5. 汽车电子系统中的电源管理和电机控制。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备中的功率转换模块。
7. 任何需要高效功率开关的场合。
IRF540N
STP55NF06L
FDP5500
AO3400