KTC4374-Y-RTF 时间：2025/9/12 11:13:17 阅读：62

KTC4374-Y-RTF是一款由KEXIN（科信）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其封装形式为TO-252（也称为DPAK），适用于表面贴装技术（SMT），便于在各类电子设备中使用。KTC4374-Y-RTF在设计上优化了功耗和效率，适用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制和电池供电设备等应用。

参数

型号：KTC4374-Y-RTF
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：100A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻(RDS(on))：最大7.2mΩ（在VGS=10V时）
　　最大功耗(PD)：125W
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTC4374-Y-RTF采用了先进的沟槽式结构技术，使得其在同类产品中具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。该器件的高电流承载能力和优异的热性能使其在高功率密度应用中表现出色。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和能效。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持在多种电源管理系统中灵活应用。其±20V的栅源电压耐受能力确保了在高电压驱动条件下器件的稳定性和可靠性。此外，TO-252封装提供了良好的散热性能，使得KTC4374-Y-RTF在高负载工作条件下仍能保持较低的温度上升，从而延长了器件的使用寿命。
　　值得一提的是，KTC4374-Y-RTF在设计时考虑了抗静电（ESD）保护能力，能够在一定程度上抵御静电放电对器件的损害，从而提高整体系统的可靠性。其宽广的工作温度范围（-55℃ 至 150℃）使其适用于各种恶劣的工作环境。

应用

KTC4374-Y-RTF广泛应用于各类电源管理系统和开关电路中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、通信设备电源模块以及工业控制设备中的功率开关电路。
　　由于其高电流能力和低导通电阻特性，该器件特别适用于需要高效能、高可靠性的电源转换系统，如服务器、电信设备和网络基础设施中的电源模块。此外，在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电源管理系统中，KTC4374-Y-RTF也可作为功率开关使用。
　　在消费类电子产品中，该MOSFET可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理电路，实现高效的能量传输和分配。其表面贴装封装形式也使其适用于自动化生产流程，提高了生产效率和产品一致性。