类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双二极管（具体以数据手册为准）
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　平均整流电流（IO）：10A（每条支路）
　　峰值脉冲电流（IFSM）：100A（8.3ms半正弦波）
　　正向压降（VF）：典型值0.48V @ 5A，最大值0.58V @ 5A
　　反向漏电流（IR）：最大2.0mA @ 60V，25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SMP (Surface Mount Package)
　　安装方式：表面贴装
　　引脚数：3 或 4（依据实际结构）
　　热阻（RθJA）：约50°C/W（依PCB布局而定）
　　结电容（Cj）：典型值120pF @ 4V

10SEQP560M的核心特性之一是其低正向导通压降，这得益于其采用的肖特基势垒技术。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管通过金属-半导体接触形成势垒，显著降低了载流子复合过程中的能量损耗，从而实现更低的VF值。这一特性对于提高DC-DC转换器和开关电源的能效至关重要，尤其是在大电流输出的应用场景下，可以大幅减少导通损耗并降低散热需求。此外，由于没有少数载流子的储存效应，该器件具备极快的开关速度，几乎无反向恢复时间（trr < 10ns），避免了在高频开关过程中产生额外的开关损耗和电磁干扰（EMI），因此非常适合用于高频整流和续流操作。
　　另一个关键优势在于其高电流处理能力。10SEQP560M支持高达10A的平均整流电流（每通道），并且能够承受高达100A的峰值脉冲电流，使其能够在瞬态负载变化或启动浪涌期间稳定运行。这种高电流承载能力结合SMP封装提供的良好热性能，确保了器件在持续高功率工作条件下的可靠性。同时，该器件具有较低的反向漏电流，在常温下最大仅为2mA，虽然随着温度升高漏电流会有所增加，但仍在可接受范围内，适合大多数中低压电源应用。
　　热管理方面，SMP封装设计优化了从芯片到PCB的热传导路径，允许通过大面积铜箔布线进行有效散热。其热阻RθJA约为50°C/W，具体数值依赖于PCB的层数、走线宽度和散热孔设计。建议在高功率应用场景中使用多层板并增加散热焊盘连接以进一步降低温升。此外，该器件具备良好的温度稳定性，工作结温可达+125°C，满足严苛环境下的长期运行要求。其-55°C至+125°C的宽工作温度范围也适用于工业级和汽车电子应用。
　　最后，10SEQP560M符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，支持绿色环保制造。其表面贴装封装便于自动化贴片生产，提升了组装效率和产品一致性。综合来看，该器件以其高效、紧凑和可靠的特点，成为现代电源管理系统中不可或缺的关键元件之一。

10SEQP560M广泛应用于各类需要高效能、小体积和高频率响应的电源电路中。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流后的续流二极管或主整流元件，特别是在降压（Buck）、升压（Boost）和反激式（Flyback）拓扑结构中发挥重要作用。由于其低正向压降和快速开关特性，能够显著提升转换效率，减少发热，延长系统寿命。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块中，该器件有助于实现更高的功率密度和更长的电池续航时间。
　　在通信基础设施领域，例如基站电源、光模块供电单元和服务器电源系统中，10SEQP560M用于次级侧整流和电压钳位电路，保障信号完整性和系统稳定性。其低噪声特性和快速响应能力有助于抑制电压尖峰和反向电流，防止敏感组件受损。此外，在工业控制系统中，包括PLC、电机驱动器和传感器供电单元，该器件可用于电源反接保护、电压箝位和能量回馈路径，确保设备在复杂电磁环境下的可靠运行。
　　在消费类电子产品中，如电视、机顶盒、路由器和USB PD充电器中，10SEQP560M同样扮演着重要角色。它不仅可用于AC-DC适配器的输出整流，还可作为多路电源之间的隔离二极管，防止回流。在太阳能充电控制器、LED驱动电源等绿色能源应用中，其高效率特性有助于最大化能量利用率。此外，汽车电子系统中的车载充电器、ADAS模块和信息娱乐系统也开始采用此类高性能肖特基二极管，以满足日益增长的能效和空间限制要求。总之，10SEQP560M凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，已成为现代电子系统中实现高效电源转换和保护的理想选择。

VS-10SQ060N
　　MBR1060T
　　STPS10H60U
　　SS16-SMC