时间：2025/5/22 21:04:27
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GA1206A6R8BXEBP31G 是一款高性能的 MOSFET 功率器件，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于各种电源管理和功率转换应用，能够显著提高效率并降低热损耗。
它属于沟道增强型 MOSFET 系列，主要设计用于需要高频开关和高效能表现的应用场景。其封装形式为行业标准，便于在各种电路板上进行安装与焊接。
型号：GA1206A6R8BXEBP31G
类型：MOSFET
极性：N-Channel
漏源极击穿电压(Vds)：120V
连续漏极电流(Id)：6.7A
导通电阻(Rds(on))：45mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷(Qg)：11nC
总电容(Ciss)：740pF
功耗(PD)：72W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
封装：TO-263-3
GA1206A6R8BXEBP31G 的主要特性包括：
1. 高效性能：低导通电阻可减少传导损耗，从而提升系统整体效率。
2. 快速开关能力：低栅极电荷使其能够在高频条件下保持高效运行。
3. 热稳定性强：工作温度范围宽广，适合高温环境下的应用。
4. 小型化封装：TO-263-3 封装节省空间，便于设计紧凑型电路。
5. 高可靠性：经过严格测试，确保长时间稳定运行。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 中的同步整流器。
2. 直流-直流(DC-DC) 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. LED 照明系统的恒流控制。
5. 笔记本电脑、平板设备及其他便携式电子产品的电池充电管理模块。
6. 各种工业自动化设备中的负载切换功能实现。
IRFZ44N
STP12NF06L
FDP120N10BG
IXFN100N10T2
