GCQ1555C1H8R6BB01D 是一款高性能的射频功率晶体管,主要应用于无线通信系统中的功率放大器设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,能够在高频段提供高效率和高增益,同时具备良好的线性度和稳定性。适用于基站、中继站以及其他需要高功率输出的应用场景。
型号:GCQ1555C1H8R6BB01D
工作频率范围:700 MHz - 3.8 GHz
最大输出功率:43 dBm
增益:12 dB(典型值)
电源电压:28 V
静态电流:800 mA
封装形式:FLGA-16L
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
GCQ1555C1H8R6BB01D 具备以下显著特性:
1. 高效的功率转换能力,在高频条件下能够保持较高的能量利用率。
2. 出色的线性度表现,适合对信号质量要求严格的通信应用。
3. 良好的热管理设计,确保在高功率输出时的长期可靠性。
4. 小型化封装,便于在紧凑型电路板上进行布局和安装。
5. 宽广的工作频率范围,适应多种通信标准的需求。
6. 内置保护功能,防止因过压或过流导致的器件损坏。
该晶体管广泛应用于各类无线通信设备中,具体包括:
1. 基站功率放大器模块。
2. 中继站和微波链路设备。
3. 工业、科学和医疗 (ISM) 频段相关产品。
4. 测试测量仪器中的高功率信号源。
5. 军事雷达及卫星通信系统中的功率放大组件。
其高效率和宽频带性能使其成为现代通信基础设施的理想选择。
GCQ1555C1H8R6AA01D, GCQ1555C1H8R6CC01D