H5120NLT是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺,在高频和高功率应用中表现出优异的性能特性。其封装形式为TO-220,便于散热设计,同时具备较低的导通电阻和较高的电流承受能力,非常适合需要高效能量转换的场景。
该MOSFET具有出色的开关特性和低损耗特点,能够在各种复杂电路环境中稳定运行。此外,H5120NLT还支持较高的工作电压范围,确保在高压条件下的可靠性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
导通电阻:3.8mΩ
栅极电荷:45nC
总电容(输入电容):2250pF
最大功耗:176W
结温范围:-55℃至+175℃
H5120NLT以其卓越的电气性能著称,主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(3.8mΩ),从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率。
2. 支持高达90A的连续漏极电流,能够满足大电流应用需求。
3. 高速开关能力,适合高频开关电源和其他高频应用场景。
4. TO-220标准封装提供良好的热管理和机械稳定性。
5. 较高的最大漏源电压(60V)保证了其在多种电压等级下的适用性。
6. 广泛的工作温度范围(-55℃至+175℃)使其适用于工业及汽车环境等苛刻条件下。
H5120NLT适用于以下领域:
1. 开关电源和DC-DC转换器中的功率开关元件。
2. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机控制。
3. 逆变器和不间断电源系统的核心组件。
4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统的功率调节。
5. 高效电子负载设备中的关键功率处理单元。
6. 汽车电子和工业自动化控制中的高功率开关模块。
IRF540N
STP90N06L
FDP9010