DMG6898LSD 是一款 N 沣道晶体管(N-Channel MOSFET),采用小型 SOT-23 封装,适用于多种电子应用。该器件通常用于开关和负载驱动应用,因其低导通电阻和快速开关性能而受到青睐。这种 MOSFET 具有较高的电流承载能力和出色的热稳定性,能够在高频条件下高效运行。
其主要特点是高效率、小尺寸以及易于集成到紧凑型电路设计中,广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制等领域。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.2A
导通电阻:150mΩ
栅极电荷:4nC
总电容:3pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
DMG6898LSD 属于增强型 N 沝道 MOSFET,具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),在典型工作条件下可以达到 150mΩ,从而减少了功率损耗。
2. 高速开关能力,得益于较小的栅极电荷和较低的输入电容,适合高频应用。
3. 小巧的 SOT-23 封装形式,有助于减少 PCB 空间占用并提升散热性能。
4. 宽泛的工作温度范围,从 -55°C 到 +150°C,使其能够适应各种恶劣环境下的工作条件。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
DMG6898LSD 的应用领域非常广泛,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器或开关元件。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路中的功率开关。
3. 手机、平板电脑等便携式设备中的负载开关。
4. LED 驱动电路中的电流调节和保护功能。
5. 各种电池管理系统的充放电控制电路。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动电路。
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DMG3417USS
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