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GCQ1555C1H8R0WB01D 发布时间 时间:2025/6/9 9:37:02 查看 阅读:21

GCQ1555C1H8R0WB01D是一款高性能的射频功率晶体管,专为高频通信系统设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有卓越的增益、线性和效率性能,适用于蜂窝基站、无线基础设施和其他射频放大应用。其封装形式优化了散热性能和电气连接的可靠性,使其能够满足严苛的工作环境要求。
  该型号中的每个字母和数字都有特定含义,通常表示封装类型、功率等级、频率范围和其他电气特性。

参数

型号:GCQ1555C1H8R0WB01D
  工作频率范围:700 MHz 至 3 GHz
  输出功率(典型值):40 W
  增益(典型值):15 dB
  效率(典型值):50%
  VDS(漏源电压):50 V
  IDS(最大漏极电流):5 A
  封装类型:WB01D
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GCQ1555C1H8R0WB01D晶体管的主要特点是高效率和宽带宽操作能力。它在较宽的频率范围内提供稳定的增益和线性度,适合多载波和多模式应用。此外,其内置匹配网络简化了电路设计,减少了外部元件的需求。同时,器件采用增强型热管理技术,确保长时间运行下的可靠性和稳定性。
  该产品还具备低互调失真特性,这对于现代通信系统中减少信号干扰至关重要。整体设计上注重电磁兼容性,能有效降低对外部设备的干扰。此外,该器件支持表面贴装技术,便于自动化生产和大规模部署。

应用

GCQ1555C1H8R0WB01D广泛应用于各种射频功率放大的场景,包括但不限于以下领域:
  1. 蜂窝基站放大器
  2. 无线通信基础设施
  3. 点对点微波链路
  4. 军事及航空航天通信系统
  5. 测试与测量设备
  6. 高频广播系统
  由于其出色的功率处理能力和宽泛的工作频率范围,该器件成为许多需要高性能射频放大的理想选择。

替代型号

GCQ1555C1H8R0WB02D, GCQ1555C1H8R0WB03D

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GCQ1555C1H8R0WB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.58840卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-