2SK950 时间：2025/8/9 16:36:21 阅读：26

2SK950是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效开关和高电流承载能力的电路中。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高耐压和大电流能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及功率放大器等领域。由于其优越的热稳定性和可靠性，2SK950在工业控制和消费类电子产品中得到了广泛应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：7A
　　导通电阻(Rds(on))：最大1.0Ω
　　功率耗散(Pd)：75W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

2SK950的主要特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达500V，使其适用于高电压应用，如开关电源和逆变器。此外，该器件的最大连续漏极电流为7A，能够支持较高功率的负载需求。导通电阻Rds(on)最大为1.0Ω，虽然相对现代低Rds(on)的MOSFET略高，但在一些中等功率应用中仍然表现良好。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，封装形式为TO-220，有助于散热，从而提高器件在高负载条件下的可靠性。栅源电压允许达到±30V，提供了较宽的驱动范围，方便与各种驱动电路配合使用。功率耗散为75W，意味着在适当的散热条件下，该器件可以在较高功率下稳定工作。
　　2SK950的开关速度快，适用于高频开关应用，能够有效减少开关损耗。其增强型特性意味着在栅极电压为零时，器件处于关断状态，从而提高了系统的安全性。此外，MOSFET的输入阻抗高，驱动功率低，适合与数字电路直接连接，降低了驱动电路的设计复杂度。

应用

2SK950常用于开关电源（SMPS）中的功率开关器件，能够有效实现电能的高效转换。在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，以实现不同电压等级的电源管理。此外，2SK950也适用于电机控制电路，如直流电机的PWM调速系统，能够提供稳定的开关性能并减少能耗。
　　在功率放大器设计中，2SK950可以作为输出级开关元件，用于音频放大器或其他功率放大系统。其高耐压能力和较高的电流承载能力使其成为高频逆变器中的理想选择，例如在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中使用。此外，该器件还可用于继电器替代电路、电子负载以及电池充电管理系统中。
　　由于其良好的热稳定性和封装设计，2SK950也适用于需要长期稳定工作的工业控制系统，例如自动化设备中的功率控制模块。在消费类电子产品中，如LED驱动电路、电子镇流器等，该器件也具备良好的应用前景。