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SCT2120AFC 发布时间 时间:2025/12/25 12:11:33 查看 阅读:24

SCT2120AFC是一款由Silicon Core Technology(矽核心科技)推出的高性能、高效率的同步降压型DC-DC转换器芯片,广泛应用于需要高效电源管理的便携式设备和工业控制系统中。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具备低静态电流、高输出电流能力以及出色的瞬态响应特性,能够在宽输入电压范围内稳定工作,适用于多种供电场景。
  SCT2120AFC集成了主开关管和同步整流管,减少了外围元件数量,简化了电路设计,提高了系统可靠性。其封装形式为DFN-8L(3mm×3mm),具有良好的热性能和空间利用率,适合对体积有严格要求的应用场合。芯片内置过温保护、过流保护和短路保护等多重安全机制,确保在异常情况下仍能安全运行,延长系统使用寿命。此外,SCT2120AFC支持可调输出电压模式,通过外部电阻分压网络可灵活设定输出电压值,适应不同负载需求。

参数

类型:同步整流降压DC-DC转换器
  工作模式:PWM控制
  输入电压范围:4.5V ~ 18V
  输出电压范围:0.8V ~ 6V(可调)
  最大输出电流:2A
  开关频率:500kHz
  静态电流:典型值35μA
  占空比范围:0% ~ 100%
  反馈参考电压:0.8V ±1%
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装类型:DFN-8L (3mm×3mm)
  保护功能:过流保护、短路保护、过温保护
  调节方式:外部电阻可调

特性

SCT2120AFC采用电流模式控制架构,提供快速的瞬态响应能力和优异的环路稳定性,能够有效应对负载突变带来的电压波动,确保输出电压的平稳。该芯片内部集成高压侧功率MOSFET和低压侧同步整流MOSFET,导通电阻低,显著降低导通损耗,提升整体转换效率,典型效率可达95%以上,尤其在中高负载条件下表现突出。
  为了提高轻载效率,SCT2120AFC具备自动脉冲频率调制(Auto PFM)功能,在轻载或待机状态下自动切换至PFM模式,大幅降低开关损耗和静态功耗,延长电池供电设备的工作时间。当负载增加时,芯片平滑过渡回PWM模式,保持稳定的输出调节性能。这种智能模式切换机制在保证效率的同时,兼顾了输出纹波和噪声的控制。
  芯片的软启动功能可通过外部电容设置启动时间,防止启动过程中产生过大的浪涌电流,保护输入电源和后级电路。内置的精密反馈比较器以0.8V为基准电压,配合外部电阻分压器实现精确的输出电压设定,调整精度高,温度漂移小。此外,SCT2120AFC具有良好的线路和负载调整率,即使输入电压变化或负载波动较大,也能维持输出电压的高度稳定。
  DFN-8L封装不仅体积小巧,还具备优良的散热性能,底部带有裸露焊盘,便于PCB布局时进行热接地处理,增强热传导能力。芯片符合RoHS环保标准,无铅无卤,适用于各类绿色电子产品设计。整体设计注重EMI抑制,合理的引脚布局和内部补偿网络有助于减少电磁干扰,提升系统的电磁兼容性。

应用

SCT2120AFC适用于多种需要高效、紧凑电源解决方案的电子设备,常见应用包括工业自动化控制系统中的传感器供电模块、PLC电源单元以及现场仪表设备。在消费类电子产品中,它可用于智能家居控制器、无线路由器、机顶盒和便携式音频播放器的主电源或辅助电源设计。
  在通信领域,SCT2120AFC可用于基站板卡、光模块电源和网络交换设备中的局部供电方案。由于其宽输入电压范围和高效率特性,也常被用于由12V直流母线供电的嵌入式系统中,如POS终端、医疗监测设备和安防监控摄像头等。
  此外,该芯片还可应用于电池供电系统,例如无人机、电动工具和移动储能设备,作为电池电压到核心处理器或逻辑电路之间的中间稳压环节。其低静态电流和轻载高效特性特别适合待机功耗敏感的应用场景,有助于提升整体能效等级。对于需要多路电源轨的设计,SCT2120AFC可与其他电源芯片配合使用,构建完整的电源管理系统。

替代型号

SCT2120AFCT
  SCT2121AFC
  MP2120AGJ-LF-Z
  XLSEMI XL1509-ADJ

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SCT2120AFC参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)29A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)156 毫欧 @ 10A,18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 3.3mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)61 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V,-6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1200 pF @ 500 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)165W(Tc)
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220AB
  • 封装/外壳TO-220-3