时间：2025/6/20 21:48:04
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GCQ1555C1H7R1DB01D 是一款高性能的功率MOSFET器件，主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率功率转换应用。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而显著降低功耗并提高系统效率。
这款器件通常以表面贴装形式封装，适合自动化生产和高温环境下的应用需求。
型号：GCQ1555C1H7R1DB01D
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
总闸电荷(Qg)：48nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263（DPAK）
GCQ1555C1H7R1DB01D 的主要特点是其卓越的电气性能和可靠性。该芯片具有非常低的导通电阻，仅为 1.5mΩ，这使得它在大电流应用中能够保持较低的功率损耗。
同时，其快速的开关速度和较小的栅极电荷也使其非常适合高频应用。此外，该器件能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内稳定工作，适应各种严苛的工作环境。
GCQ1555C1H7R1DB01D 还具备良好的热稳定性，并且符合 RoHS 标准，满足环保要求。
GCQ1555C1H7R1DB01D 广泛应用于需要高效功率管理的领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管；
2. DC-DC 转换器中的功率开关；
3. 电机驱动电路中的功率级控制；
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块；
5. 汽车电子中的负载切换和保护电路；
6. 工业设备中的电源管理和控制模块。
IRF3205
STP55NF06L
Si7869DP
