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SKNK56/12D 发布时间 时间:2025/8/22 23:55:11 查看 阅读:16

SKNK56/12D是一款由SEMIKRON(赛米控)制造的双单元绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,广泛用于高功率电子应用,如变频器、电机控制、电源系统以及工业自动化设备。该模块采用了先进的IGBT技术,以实现高效能和高可靠性。SKNK56/12D模块设计紧凑,具备良好的热性能和电气绝缘能力,适合在苛刻的工业环境中运行。

参数

类型:IGBT模块
  封装形式:双单元(Dual)模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):56A(在25°C时)
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  短路耐受能力:有
  导通压降:约1.5V(典型值)
  输入电容(Cies):约2500pF
  封装材料:绝缘型(D)

特性

SKNK56/12D IGBT模块具有多项出色的电气和热性能。首先,其最大集电极-发射极电压为1200V,适用于中高功率应用,能够承受较高的电压应力。其次,额定集电极电流为56A,确保在25°C环境温度下具备良好的电流承载能力。该模块采用双单元结构,包含两个独立的IGBT芯片,可实现更高的系统灵活性和可靠性。
  此外,SKNK56/12D模块具有出色的短路耐受能力,能够在极端条件下防止器件损坏,从而提高系统的安全性和稳定性。其导通压降较低,通常在1.5V左右,有助于降低导通损耗,提高整体效率。模块的输入电容约为2500pF,使得其在高频开关应用中表现出色,适用于变频器和开关电源等场合。
  

应用

SKNK56/12D IGBT模块主要用于中高功率电力电子系统,如工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电焊机和电机控制装置。其高可靠性和优异的电气性能使其成为工业自动化、新能源和电动汽车充电设备等领域的理想选择。

替代型号

SKM50GB12T4、FF50U12RT、FGA25N120ANTD

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