ITXH15N70 时间：2025/8/5 20:33:42 阅读：34

ITXH15N70是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产。这款器件设计用于高效率、高频率的开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及其他需要高功率密度和低导通损耗的场合。ITXH15N70采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：700V
　　漏极电流（ID）：15A（在Tc=100℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.37Ω（最大值，@VGS=10V）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、TO-247、PG-TO220-3-11等
　　功率耗散（PD）：88W
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：700V
　　阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　输入电容（Ciss）：1200pF（典型值，@VDS=25V）

特性

ITXH15N70采用了英飞凌先进的沟槽MOSFET技术，使得其在高压应用中具有较低的导通损耗和开关损耗。其低RDS(on)特性确保了在导通状态下，器件的功率损耗极小，从而提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下稳定工作，提升了系统的可靠性。
　　该器件的封装形式（如TO-220和TO-247）具有良好的散热性能，有助于快速将热量传导至外部散热片，从而进一步优化热管理。其高雪崩能量承受能力使其在瞬态过电压条件下具备更强的鲁棒性，适用于各种工业和消费类电源系统。
　　ITXH15N70的高dv/dt耐受能力使其适用于高频开关环境，能够有效减少电磁干扰（EMI）。此外，其栅极驱动要求较低，能够与常见的PWM控制器和驱动IC兼容，简化了电路设计。