时间：2025/6/20 21:53:10
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GCQ1555C1H6R4DB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的半导体制造工艺。该芯片主要应用于高效率电源管理、DC-DC 转换器以及各类开关电源场景。其卓越的导通电阻和快速的开关特性使其在高频应用中表现出色。
型号：GCQ1555C1H6R4DB01D
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：DFN5x6
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4mΩ
ID（连续漏极电流）：32A
Qg（栅极电荷）：28nC
fswitch（工作频率）：高达 2MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
功耗：典型值 3.2W
GCQ1555C1H6R4DB01D 具有低导通电阻（RDS(on)），能够有效降低导通损耗并提升整体系统效率。
它还具备高电流承载能力（ID = 32A），适合大功率应用环境。
其优化的栅极电荷设计有助于减少开关损耗，从而提高高频下的性能表现。
此外，该器件采用了 DFN5x6 封装，这种小型化封装不仅节省了 PCB 空间，还能提供优良的散热性能。
工作温度范围宽广（-55℃ 至 +175℃），确保在极端环境下依然保持稳定运行。
GCQ1555C1H6R4DB01D 广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 各类 DC-DC 转换器的核心功率级组件。
3. 汽车电子系统中的负载切换控制。
4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
5. 笔记本电脑适配器及其他便携式设备的充电解决方案。
6. 高效 LED 驱动器设计中的关键元器件。
GCQ1555C1H6R4DB02D, GCQ1555C1H6R4DB03D
