时间：2025/7/4 3:23:51
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QMK212B7152KDHT 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 D2PAK，适合表面贴装应用，能够有效提升系统的效率和可靠性。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：71A
导通电阻：1.5mΩ
总栅极电荷：78nC
输入电容：2340pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：D2PAK
QMK212B7152KDHT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了高效的功率传输，并减少了发热。
2. 高额定电流能力（71A）使其适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度降低了开关损耗，提升了系统整体效率。
4. 强大的散热性能支持高功率密度设计。
5. 宽泛的工作温度范围使得该器件能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
这款功率 MOSFET 可用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 工业电机驱动中的逆变桥臂元件。
3. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统和牵引逆变器。
4. 高效 DC-DC 转换器中的功率开关。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品中的功率转换模块。
QMK212B7152KDHTR,
IRFP2907,
FDP75N60A,
STP70NF60,
IXFH70N60T2
