时间：2025/6/5 19:45:02
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GCQ1555C1H190GB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
该器件主要针对需要高效能和高可靠性的应用设计，适用于消费电子、工业设备以及汽车电子等多种领域。
型号：GCQ1555C1H190GB01D
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：42A（脉冲）
导通电阻Rds(on)：1.9mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
功耗Pd：180W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
GCQ1555C1H190GB01D具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频工作环境，减少开关损耗。
3. 优秀的热稳定性，能够在高温条件下长期稳定运行。
4. 强大的浪涌电流能力，适合要求严格的应用场景。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 提供卓越的电气特性和可靠性，适用于严苛的工作条件。
GCQ1555C1H190GB01D广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和适配器中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 汽车电子中的负载切换和保护。
5. 工业自动化控制中的功率管理。
6. 其他需要高效功率转换和控制的场景。
GCQ1555C1H190GB02D, IRF540N, FDP5500NL
