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GCQ1555C1H190GB01D 发布时间 时间:2025/6/5 19:45:02 查看 阅读:8

GCQ1555C1H190GB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
  该器件主要针对需要高效能和高可靠性的应用设计,适用于消费电子、工业设备以及汽车电子等多种领域。

参数

型号:GCQ1555C1H190GB01D
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:TO-263 (DPAK)
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  最大漏极电流Id:42A(脉冲)
  导通电阻Rds(on):1.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  功耗Pd:180W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GCQ1555C1H190GB01D具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频工作环境,减少开关损耗。
  3. 优秀的热稳定性,能够在高温条件下长期稳定运行。
  4. 强大的浪涌电流能力,适合要求严格的应用场景。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 提供卓越的电气特性和可靠性,适用于严苛的工作条件。

应用

GCQ1555C1H190GB01D广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源和适配器中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 汽车电子中的负载切换和保护。
  5. 工业自动化控制中的功率管理。
  6. 其他需要高效功率转换和控制的场景。

替代型号

GCQ1555C1H190GB02D, IRF540N, FDP5500NL

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GCQ1555C1H190GB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.43700卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容19 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-