GCQ1555C1H190GB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
该器件主要针对需要高效能和高可靠性的应用设计,适用于消费电子、工业设备以及汽车电子等多种领域。
型号:GCQ1555C1H190GB01D
类型:N-Channel MOSFET
封装:TO-263 (DPAK)
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
最大漏极电流Id:42A(脉冲)
导通电阻Rds(on):1.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
功耗Pd:180W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
GCQ1555C1H190GB01D具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关性能,支持高频工作环境,减少开关损耗。
3. 优秀的热稳定性,能够在高温条件下长期稳定运行。
4. 强大的浪涌电流能力,适合要求严格的应用场景。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 提供卓越的电气特性和可靠性,适用于严苛的工作条件。
GCQ1555C1H190GB01D广泛应用于以下领域:
1. 开关电源和适配器中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 汽车电子中的负载切换和保护。
5. 工业自动化控制中的功率管理。
6. 其他需要高效功率转换和控制的场景。
GCQ1555C1H190GB02D, IRF540N, FDP5500NL