B60N06A 时间：2025/7/9 23:41:32 阅读：16

B60N06A 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其额定电压为 60V，能够提供出色的效率和可靠性。
　　该芯片采用先进的制造工艺，确保在高温和高频工作条件下仍能保持稳定的性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：32A
　　导通电阻：1.8mΩ
　　栅极电荷：75nC
　　总电容：1040pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

B60N06A 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
　　4. 具备热关断保护功能，防止因过热导致的损坏。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
　　6. 小型封装设计，节省 PCB 空间。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
　　2. DC-DC 转换器，例如降压或升压转换器。
　　3. 电动工具及家用电器中的电机控制。
　　4. 汽车电子系统中的负载切换。
　　5. 工业自动化设备中的电源管理。
　　6. 太阳能微逆变器及其他可再生能源相关产品。