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GCG1885G1H120JA01D 发布时间 时间:2025/5/26 18:54:29 查看 阅读:13

GCG1885G1H120JA01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他电力电子应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
  这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,适合在高频条件下运行,同时具备良好的热稳定性和可靠性,是现代电力电子设计的理想选择。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
  栅极电荷(Qg):95nC
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GCG1885G1H120JA01D的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,支持大功率应用需求。
  3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗,并适应高频操作。
  4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下依然保持优异性能。
  5. 高可靠性和长寿命设计,适用于严苛的工作条件。
  6. 小型封装设计,节省电路板空间,便于布局和散热管理。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如AC-DC适配器和工业电源。
  2. 电机驱动器,用于控制无刷直流电机或步进电机。
  3. DC-DC转换器,为各种负载提供稳定的直流输出电压。
  4. 电池管理系统(BMS),保护锂离子电池免受过充、过放和短路等异常情况。
  5. 太阳能逆变器,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。
  6. 汽车电子设备,例如电动助力转向系统(EPAS)和制动能量回收系统。

替代型号

IRF1405ZPBF
  FDP158N06L
  AOTF140L

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GCG1885G1H120JA01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.36613卷带(TR)
  • 系列GCG
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8G
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性环氧树脂封装
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC,环氧
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.90mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-