GBLC15C-LF-T7 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高效率功率转换芯片。该器件专为高频、高效能的应用设计,例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、适配器以及消费类和工业电子设备中的电源管理模块。
其核心优势在于利用了增强型 GaN FET 技术,从而在高频工作条件下提供更低的开关损耗和导通电阻。这使得 GBLC15C-LF-T7 在紧凑型设计中表现出色,并能够支持更高的功率密度。
额定电压:650V
连续漏极电流:15A
导通电阻:130mΩ
栅极电荷:40nC
输入电容:2800pF
最大工作结温:175℃
封装形式:LFPAK88
GBLC15C-LF-T7 提供了卓越的性能表现,特别是在高频和高功率应用领域。以下是其主要特点:
1. 采用先进的 GaN 技术,大幅降低开关损耗与导通损耗。
2. 高频率操作能力,支持 MHz 级别的开关频率。
3. 封装体积小,适合高功率密度的设计要求。
4. 内部集成保护机制,包括过流保护和短路保护,提高了系统的可靠性。
5. 支持多种拓扑结构,例如硬开关和软开关电路,适应性强。
6. 适用于高温环境,具备良好的热稳定性和耐久性。
GBLC15C-LF-T7 广泛应用于需要高性能功率转换的场景,包括但不限于:
1. USB-PD 快速充电器。
2. 消费类适配器和小型电源模块。
3. 数据中心服务器电源。
4. 工业级电机驱动和逆变器。
5. 高效 LED 驱动器。
6. 无线充电系统和其他高频功率转换应用。
GBLC15B-LF-T7, GBLA15C-LF-T7