时间：2025/8/12 23:48:23
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IFR3000-48BCCF-TR 是一款由 International Rectifier（现为 Infineon Technologies）生产的功率 MOSFET 晶体管。该器件主要用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如 DC-DC 转换器、电源管理模块和电机控制应用。这款 MOSFET 采用先进的沟槽式功率 MOS 技术，具有低导通电阻、高电流容量和良好的热性能。IFR3000-48BCCF-TR 采用表面贴装封装，便于在高密度 PCB 设计中使用，并且符合 RoHS 环保标准。
类型：功率 MOSFET
制造商：Infineon Technologies (原 International Rectifier)
漏源电压 (Vds)：300V
漏极电流 (Id)：18A (最大值)
Rds(on)：0.48Ω @ Vgs = 10V
栅极电压范围：-20V 至 +20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263 (D2PAK)
安装方式：表面贴装 (SMD/SMT)
功耗 (Pd)：130W
漏极-源极击穿电压：300V
栅极电荷 (Qg)：48nC
导通延迟时间：28ns
关断延迟时间：82ns
IFR3000-48BCCF-TR 的核心优势在于其优化的导通电阻与开关损耗之间的平衡，使其在高频开关应用中表现优异。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得 Rds(on) 保持在较低水平，从而减少导通损耗并提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，在 18A 的连续漏极电流下仍能保持稳定运行。其 D2PAK 封装结构不仅提供良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适用于各种严苛环境下的应用，如工业电源、服务器电源、通信设备和太阳能逆变器等。此外，IFR3000-48BCCF-TR 的栅极电荷较低（48nC），有助于降低开关损耗，使其适用于高频率开关环境，从而减小外部滤波元件的体积，提高整体功率密度。
其高可靠性设计确保在高应力条件下（如高温、高电流和高电压应力）下依然具有较长的使用寿命，适合用于对稳定性要求极高的工业与通信系统。
IFR3000-48BCCF-TR 广泛应用于多种高功率、高效率的电子系统中。典型应用包括 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、电机驱动、负载开关、电池管理系统、服务器电源、通信电源、UPS（不间断电源）以及太阳能逆变器等。由于其低导通电阻和良好的热性能，该 MOSFET 非常适合用于需要高效能和高可靠性的工业与消费类电源管理系统。
IRF3000-48BCCF-TR, IRL3000, IRFZ48N, IRF540N
