GB2N60DTR 时间：2025/8/15 13:41:54 阅读：26

GB2N60DTR是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压和高电流应用。这款MOSFET采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）以及较高的热稳定性，使其适用于电源转换、电机控制、照明系统以及工业自动化等场景。GB2N60DTR通常采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装（SMT）工艺，提供了良好的散热性能和机械强度。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：2A
　　导通电阻(Rds(on))：最大2.5Ω（当Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

GB2N60DTR具有多个关键特性，使其在高性能电子系统中表现出色。首先，它的高击穿电压（600V）使其非常适合高压应用，例如开关电源（SMPS）和AC/DC转换器。其次，较低的导通电阻（Rds(on)）有助于降低功率损耗，提高系统效率，并减少发热。此外，该器件具备较高的热稳定性，能够在严苛的工作环境下保持良好的性能。其TO-252封装形式不仅便于安装和散热，还支持自动贴片工艺，适合大规模生产使用。GB2N60DTR的栅极驱动设计相对简单，兼容标准的MOSFET驱动电路，进一步提升了其在各种应用中的灵活性和适用性。

应用

GB2N60DTR广泛应用于多种功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它可用于主开关或同步整流器，以实现高效的能量转换。此外，该器件也适用于电机驱动和控制电路，为小型电机或步进电机提供可靠的开关控制。在照明系统中，例如LED驱动器或荧光灯镇流器，GB2N60DTR可以用于调光或电流调节功能。工业自动化设备中，该MOSFET可用于控制继电器、电磁阀或其他执行器的开关操作。由于其优异的热性能和封装设计，GB2N60DTR还常用于需要长时间稳定运行的设备，例如工业电源、逆变器、不间断电源（UPS）以及消费类电子产品中的高压直流转换模块。