型号：MT47H256M8HG-25E:A
　　制造商：Micron Technology
　　产品系列：DDR2 SDRAM
　　存储容量：2 Gb (256 MB)
　　组织结构：256M x 8
　　电压：1.8V ±0.1V
　　工作温度：0°C 至 +85°C（商业级）
　　封装类型：86-ball FBGA
　　引脚数：86
　　数据宽度：8位
　　最大时钟频率：133 MHz
　　数据速率：266 Mbps (DDR2-533)
　　访问时间：-25（2.5 ns）
　　刷新模式：自动刷新、自刷新、TCSR、PASR
　　时序参数：CL=4，tRCD=4，tRP=4（典型值）
　　每Bank行数：8K
　　每Bank列数：1K
　　Banks数量：8
　　是否支持ZQ校准：否（DDR2不支持ZQ）
　　是否支持ODT：片内终端（On-Die Termination）可编程控制

MT47H256M8HG-25E:A具备多项关键特性，使其成为许多嵌入式和通信系统中的理想选择。首先，其采用DDR2架构，在时钟信号的上升沿和下降沿均传输数据，实现了双倍数据速率传输，显著提高了带宽效率。与前代DDR技术相比，DDR2通过提高预取架构（4-bit prefetch）和引入片内终端（ODT）机制，有效改善了信号完整性和高频稳定性。MT47H256M8HG-25E:A支持可编程的片内终端阻抗控制，允许用户根据实际布线情况启用或禁用ODT，从而减少反射和串扰，提升多负载总线环境下的信号质量。其次，该芯片集成了多种低功耗管理功能，包括自动刷新、自刷新模式以及温度补偿自刷新（TCSR）。TCSR功能可根据芯片内部温度动态调整刷新速率，在高温下增加刷新频率以保证数据保持，低温时降低频率以节省能耗，特别适用于无散热风扇或电池供电的设备。
　　此外，该器件支持部分数组自刷新（Partial-Array Self Refresh, PASR），允许仅对正在使用的存储区进行刷新操作，进一步降低待机功耗。这对于需要长时间待机但仍需保持部分数据活跃的应用非常有利。MT47H256M8HG-25E:A还具备标准的8-bank并发架构，每个bank独立控制，支持交错式突发访问，极大提升了连续读写操作的吞吐率。突发长度通常为4或8，并可通过模式寄存器设置灵活配置。所有控制信号均在时钟上升沿采样，确保与时钟同步的操作一致性。该芯片符合RoHS环保标准，采用无铅封装工艺，适合全球范围内的绿色电子产品制造要求。最后，美光为其提供了完整的技术支持文档、可靠性测试报告以及兼容性验证数据，确保客户在系统集成过程中能够快速完成调试和量产导入。

MT47H256M8HG-25E:A广泛应用于多种需要稳定、高效内存支持的电子系统中。在通信领域，它常见于路由器、交换机、DSL调制解调器等网络设备中，用于缓存数据包、运行嵌入式操作系统或处理实时协议栈任务。由于其具备良好的数据吞吐能力和较低延迟，能够满足高速网络流量处理的需求。在工业自动化和控制系统中，该芯片被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、运动控制器等设备，支撑实时数据采集与控制指令执行。消费类电子产品方面，如数字电视、机顶盒、多媒体播放器、打印机和扫描仪等，也普遍采用此类DDR2颗粒作为主内存，因其成本效益高且性能足够应对大多数音视频解码任务。
　　此外，MT47H256M8HG-25E:A也被用于车载信息娱乐系统、安防监控设备（如DVR/NVR）、POS终端和智能仪表等嵌入式平台。这些应用场景通常要求元器件具备较长的产品生命周期支持、稳定的供货渠道以及良好的温度适应能力，而美光作为全球领先的存储厂商，能够提供相应的保障。同时，由于该芯片采用FBGA封装，体积小、散热好，非常适合空间受限的便携式或高密度板卡设计。对于使用FPGA或ASIC作为主处理器的设计方案，MT47H256M8HG-25E:A也是一个常用的外部存储扩展选项，配合Memory Controller IP核实现高效的内存子系统构建。

MT47H256M8HG-25:IT
　　MT47H256M8HG-37:E
　　IS43TR16256AL-25B1A
　　EM63A165TS-25