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GAA30337BAA1 发布时间 时间:2025/7/25 20:10:38 查看 阅读:7

GAA30337BAA1 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高性能、低噪声放大器(LNA)芯片,专为高频应用设计。该器件在无线通信、射频前端模块和测试设备等领域中广泛应用。GAA30337BAA1 采用 GaAs(砷化镓)技术,具备优异的线性性能和高增益,适用于多种射频和微波系统。该芯片采用紧凑的表面贴装封装,便于在现代高密度电路板上安装。

参数

类型:低噪声放大器(LNA)
  频率范围:2 GHz 至 6 GHz
  增益:典型值 20 dB
  噪声系数:典型值 0.65 dB
  输出 1 dB 压缩点:典型值 +10 dBm
  输入驻波比(VSWR):1.5:1(典型)
  工作电压:3.3 V 至 5.5 V
  工作电流:典型值 45 mA
  封装类型:SOT-89
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GAA30337BAA1 是一款专为高性能射频应用设计的低噪声放大器,其主要特性包括宽频率覆盖范围(2 GHz 至 6 GHz),适用于多种无线通信系统,如 Wi-Fi、WiMAX、蜂窝网络以及射频测试设备。该器件采用了 GaAs(砷化镓)工艺技术,提供出色的线性度和低噪声性能,噪声系数仅为 0.65 dB,确保信号在放大过程中保持高质量,减少信号失真。
  该放大器的增益高达 20 dB,能够在低功耗条件下提供高信号增益,有助于提升接收机的灵敏度。此外,其输出 1 dB 压缩点为 +10 dBm,表明其在保持线性放大范围的同时,也能承受一定强度的输入信号,避免信号饱和。
  GAA30337BAA1 支持 3.3 V 至 5.5 V 的宽电压输入范围,适应多种电源设计需求,典型工作电流为 45 mA,具有较低的功耗表现,适合电池供电设备使用。其输入驻波比(VSWR)为 1.5:1,显示出良好的阻抗匹配能力,有助于减少信号反射,提高系统整体性能。
  该器件采用 SOT-89 表面贴装封装,体积小巧且易于集成到高密度 PCB 设计中。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,满足工业级温度要求,适用于各种严苛环境条件下的应用。

应用

GAA30337BAA1 主要应用于需要高增益、低噪声放大的射频前端系统,例如无线基站、Wi-Fi 接收器、WiMAX 系统、蜂窝网络基础设施、卫星通信设备、雷达和测试测量仪器等。由于其优异的射频性能和宽频率范围,它也适用于多频段通信系统和高灵敏度接收机设计。此外,该器件还可用于射频识别(RFID)读卡器、无人机通信模块以及物联网(IoT)设备中的射频信号增强环节。

替代型号

GAA30337BAA1 的替代型号包括 Avago 的 ATF-54143、Analog Devices 的 ADL5542 和 Mini-Circuits 的 ERA-51SM+。这些器件在性能参数上与 GAA30337BAA1 相近,可作为备选方案用于不同的射频系统设计中。

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