A3R12E40DBF-8EI 时间：2025/5/22 21:35:34 阅读：18

A3R12E40DBF-8EI 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提高系统效率并降低功耗。
　　其封装形式为 DPAK（TO-252），能够提供良好的散热性能，适合在紧凑型设计中使用。

参数

类型：MOSFET
　　极性：N-Channel
　　Vds（漏源电压）：40V
　　Rds(on)（导通电阻）：1.2mΩ
　　Id（持续漏电流）：60A
　　Vgs（栅源电压）：±20V
　　Qg（总栅极电荷）：37nC
　　EAS（雪崩能量）：3.1mJ
　　fsw（最大工作频率）：1MHz
　　封装：DPAK（TO-252）

特性

A3R12E40DBF-8EI 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on) = 1.2mΩ），能够在大电流应用中显著降低传导损耗。
　　2. 快速开关性能，支持高达 1MHz 的开关频率，非常适合高频应用。
　　3. 总栅极电荷较低（Qg = 37nC），可减少驱动功耗。
　　4. 高额定电流能力（Id = 60A），确保在重载条件下稳定运行。
　　5. 采用 DPAK 封装，具有良好的散热性能，同时节省 PCB 空间。
　　6. 提供 ±20V 的宽范围栅源电压，兼容多种驱动电路。
　　7. 具备一定的雪崩能量耐受能力（EAS = 3.1mJ），增强了器件的鲁棒性。

应用

A3R12E40DBF-8EI 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. DC-DC 转换器
　　3. 电机驱动与控制
　　4. 电池保护电路
　　5. 工业自动化设备
　　6. 汽车电子系统
　　7. LED 驱动器
　　8. 通信电源模块
　　该器件凭借其优异的性能和可靠性，成为上述应用的理想选择。