型号：GA250TS60U
　　类型：IGBT模块（全桥）
　　额定电压：600V
　　额定电流：250A
　　集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）：典型值2.1V（在IC=250A, Vge=15V条件下）
　　栅极阈值电压（Vge(th)）：最小值5.0V，最大值7.0V
　　输入电容（Cies）：约4800pF（在Vce=25V, f=1MHz条件下）
　　输出电容（Coes）：约1200pF
　　反向恢复时间（trr）：约75ns（针对内置二极管）
　　开关时间（开通时间ton）：约150ns
　　开关时间（关断时间toff）：约450ns
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　绝缘耐压：≥2500VAC/分钟
　　封装形式：第3代标准工业模块封装（带底板）
　　安装方式：螺栓固定式
　　冷却方式：风冷或水冷散热器配合使用

GA250TS60U采用先进的沟槽栅+场截止（Trench FS）IGBT芯片技术，显著降低了导通损耗与开关损耗之间的权衡矛盾，使器件在高频开关应用中仍能保持较高的能效水平。其低Vce(sat)特性有效减少了满载工况下的功率耗散，提升了系统的整体热效率。模块内部集成的快速软恢复二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和可控的反向恢复电流尖峰，极大抑制了换流过程中的电磁干扰（EMI），提高了系统电磁兼容性。该模块具备优异的短路承受能力，在规定的栅极驱动电压下可耐受数微秒级别的短路事件，配合外部保护电路可实现可靠的故障保护机制。热阻抗方面，从结到外壳的热阻（Rth(j-c)）低于0.15°C/W，确保在高功率密度运行条件下热量能够迅速传导至散热器，避免局部过热导致的性能衰退或失效。模块引脚布局经过电磁优化设计，减小了内部寄生电感，从而降低开关过程中的电压过冲风险，尤其在高dv/dt环境下表现稳定。此外，GA250TS60U支持宽范围的栅极驱动电压（通常推荐+15V/-8V至+15V/-15V），适配主流驱动芯片与光耦隔离驱动方案，增强了系统设计灵活性。
　　该IGBT模块还具备良好的并联扩展能力，由于其正向导通电压与开关特性的批次一致性高，多个模块并联时无需复杂的均流电路即可实现较理想的电流分配，适用于兆瓦级大功率变频器或牵引逆变器系统。封装材料选用高导热氧化铝陶瓷基板与无铅焊料，不仅提升了长期使用的机械强度与抗热疲劳性能，也满足现代绿色电子制造的要求。模块表面标注清晰，包含极性标识、安全间距标记及生产批次信息，便于自动化装配与后期维护追踪。出厂前经过严格的动态与静态参数测试，包括高压绝缘测试、热循环试验与功率老化筛选，保证每一只产品都达到工业级质量标准。

GA250TS60U主要面向中高功率电力电子变换设备，广泛用于交流传动系统中的通用变频器与伺服驱动器，特别是在起重机械、数控机床、塑料加工设备等需要频繁启停与精确调速的工业场景中表现出色。在新能源领域，该模块被广泛应用于光伏并网逆变器、储能变流器（PCS）以及风电变流系统，凭借其高效率与高可靠性支撑清洁能源的稳定输出。在电动汽车与轨道交通方面，GA250TS60U可用于车载辅助电源、充电桩主控模块及轻轨车辆的牵引逆变系统，满足严苛的环境适应性与功能安全需求。此外，在不间断电源（UPS）、感应加热设备、大功率直流电源等工业电源系统中，该模块作为核心开关元件，承担着能量转换与调节的关键任务。由于其具备较强的过载能力和稳定的热性能，特别适合长时间连续运行的高负载场合。同时，该模块也可用于实验平台与原型开发系统，作为评估新型控制算法与拓扑结构的理想选择，加速产品从研发到量产的进程。

CM250DY-60A
　　FZ250R60KF6
　　FF250R60KE4
　　SKM250GB60D