类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：450V
　　栅源电压（Vgs）：30V
　　连续漏极电流（Id）：80mA
　　功耗（Pd）：400mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-92

2SK613-4-T8 MOSFET具有多项优良特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其高漏源电压（450V）使其适用于高电压操作环境，确保在高电压下稳定工作。其次，低漏极电流（80mA）和适当的功耗限制（400mW）有助于降低系统功耗并提高整体效率。此外，该器件的封装形式为TO-92，这种小型封装形式节省空间，便于在紧凑的电路板设计中使用。
　　该MOSFET的栅源电压为30V，提供了足够的栅极驱动电压范围，从而保证了在不同应用条件下良好的导通和关断性能。工作温度范围从-55°C到+150°C，说明其具备良好的热稳定性，可以在极端环境条件下可靠运行。这种宽温度范围也使其适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的场合。
　　此外，2SK613-4-T8具有较低的导通电阻和快速的开关特性，这有助于减少开关损耗，提高电路效率。其良好的热阻特性也有助于散热，从而延长器件的使用寿命。

2SK613-4-T8 MOSFET主要用于高频功率放大器、开关电源、DC-DC转换器以及音频放大器等电子设备中。在开关电源应用中，该MOSFET可以作为主开关元件，用于控制电流的通断，从而实现高效的能量转换。在音频放大器中，它可用于功率输出级，提供高保真的音频信号放大。
　　此外，该器件也适用于小型电源适配器、LED驱动器和电池充电器等应用。由于其封装紧凑，因此特别适合于需要节省空间的设计，如便携式电子设备和家用电器。同时，其高可靠性和宽温度范围使其在工业自动化和汽车电子领域也有广泛应用，例如在汽车点火系统、电动工具和传感器模块中。

2SK1132, 2SK1176