型号：C16T60F
　　器件类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压 VRRM：650V
　　平均正向整流电流 IF(AV)：16A
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：180A（半正弦波，60Hz）
　　正向电压降 VF：典型值1.35V，最大值1.5V（在IF=16A, TJ=25°C条件下）
　　反向漏电流 IR：最大5μA（在VR=650V, TJ=25°C）；最大200μA（在VR=650V, TJ=150°C）
　　结温范围 TJ：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AC 或 TO-220FP
　　是否为表面贴装：否（通孔安装）
　　反向恢复时间 trr：无反向恢复电荷，理想二极管特性
　　热阻结至壳 Rth(j-c)：约1.2°C/W（典型值，依赖于封装和PCB布局）

C16T60F作为一款基于碳化硅材料的肖特基二极管，具备多项优于传统硅基快恢复二极管的技术优势。首先，其最显著的特性是零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和几乎无反向恢复电流，这意味着在高频开关过程中不会产生由载流子复合引起的能量损耗，从而大幅降低开关过程中的动态功耗。这一特性使其特别适合用于高频率工作的PFC（功率因数校正）电路、LLC谐振变换器以及DC-DC升压/降压拓扑中，能够显著提高电源系统的转换效率并减少EMI干扰。
　　其次，C16T60F拥有较低且稳定的正向导通压降（VF），即使在高温工作条件下，其VF的增长幅度也远小于硅二极管，这保证了在满载和高温环境下依然保持较高的能效表现。同时，碳化硅材料本身具有更高的临界击穿电场强度和热导率，使得该器件能够在高达175°C的结温下持续可靠运行，适应恶劣的工业和车载环境。
　　此外，C16T60F具备极低的反向漏电流，在常温下仅为几微安级别，虽然随着温度升高会有所增加，但仍处于可控范围内。其快速响应能力和出色的热稳定性，使其在频繁启停和瞬态负载变化的应用中表现出色。器件还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达180A的非重复浪涌电流冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。综合来看，C16T60F在效率、可靠性、热管理及空间利用方面均展现出卓越性能，是现代高效电源设计中的理想选择。

C16T60F广泛应用于各类需要高效、高可靠性整流功能的电力电子系统中。典型应用场景包括：通信电源和服务器电源中的PFC升压二极管，用于提升整体能效并满足能源之星等能效标准；光伏逆变器中的输出续流或防反接保护，利用其低损耗特性提升太阳能发电系统的日均效率；新能源汽车车载充电机（OBC）和DC-DC转换器中，实现高频高效整流，帮助缩小磁性元件体积并提升功率密度；工业电机驱动和UPS不间断电源中的续流与箝位电路，保障系统在复杂负载条件下的稳定运行；此外，还可用于高密度工业电源、充电桩模块、激光电源及感应加热设备等对散热和效率要求较高的场合。得益于其高温耐受能力和长期可靠性，C16T60F也适用于户外或封闭式高温环境中运行的设备。

C3D16065A
　　STPSC16H065Y
　　SCT3016C