时间：2025/6/6 11:28:41
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GA243DR7E2473MW01L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
其设计注重效率与可靠性，适用于需要高效能量转换和精确电流控制的场景。同时，该器件具备出色的抗干扰能力和静电保护特性，确保在复杂电磁环境下的稳定运行。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：70V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：24A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
输入电容(Ciss)：3800pF
输出电容(Coss)：650pF
反向传输电容(Crss)：120pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
GA243DR7E2473MW01L 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提高系统整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合，减少开关损耗。
3. 强大的电流承载能力，能够满足大功率负载需求。
4. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
5. 内置完善的保护机制，如过流保护和短路保护，提升产品的可靠性和安全性。
6. 小型化封装设计，有助于节省 PCB 空间，简化散热设计。
该型号 MOSFET 广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）中作为主
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. 汽车电子系统中的负载控制开关。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关产品中的功率变换部分。
IRF740,
STP24NF06,
FDP16N70,
AO3400
