时间：2025/7/22 20:54:25
阅读：4
P4NK60Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制等电力电子系统中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适用于高效率、高频工作的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：4.4A（25°C）
导通电阻（Rds(on)）：1.9Ω（最大）
功率耗散（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
P4NK60Z 的核心优势在于其具备较高的电压耐受能力和较低的导通损耗。该MOSFET的600V漏源电压额定值使其适用于多种高压应用，如电源适配器、照明系统和工业控制设备。此外，其导通电阻仅为1.9Ω，显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。
该器件采用先进的平面工艺制造，具备优良的热管理和稳定性，可在高温环境下稳定工作。其TO-220封装形式不仅便于安装，还提供了良好的散热性能，确保长时间运行的可靠性。
此外，P4NK60Z 具备快速开关特性，适用于高频工作场景，从而减小了外部滤波元件的尺寸，有助于实现更紧凑的设计。该MOSFET还内置了保护机制，如过温保护和雪崩能量耐受能力，增强了器件在复杂电磁环境中的稳定性和耐用性。
P4NK60Z 常用于各类电力电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动器、电能质量调节设备以及工业自动化控制系统。其高可靠性和高效率特性使其成为许多高压、中功率应用场景的理想选择。
[
"STP4NK60Z",
"P4NC60Z",
"STW4NK60Z"
]
