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P4NK60Z 发布时间 时间:2025/7/22 20:54:25 查看 阅读:4

P4NK60Z 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制等电力电子系统中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性,适用于高效率、高频工作的电路设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id):4.4A(25°C)
  导通电阻(Rds(on)):1.9Ω(最大)
  功率耗散(Ptot):50W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220

特性

P4NK60Z 的核心优势在于其具备较高的电压耐受能力和较低的导通损耗。该MOSFET的600V漏源电压额定值使其适用于多种高压应用,如电源适配器、照明系统和工业控制设备。此外,其导通电阻仅为1.9Ω,显著降低了在导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的能效。
  该器件采用先进的平面工艺制造,具备优良的热管理和稳定性,可在高温环境下稳定工作。其TO-220封装形式不仅便于安装,还提供了良好的散热性能,确保长时间运行的可靠性。
  此外,P4NK60Z 具备快速开关特性,适用于高频工作场景,从而减小了外部滤波元件的尺寸,有助于实现更紧凑的设计。该MOSFET还内置了保护机制,如过温保护和雪崩能量耐受能力,增强了器件在复杂电磁环境中的稳定性和耐用性。

应用

P4NK60Z 常用于各类电力电子设备中,包括但不限于:开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动器、电能质量调节设备以及工业自动化控制系统。其高可靠性和高效率特性使其成为许多高压、中功率应用场景的理想选择。

替代型号

[
   "STP4NK60Z",
   "P4NC60Z",
   "STW4NK60Z"
  ]

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