型号：LF80538NE0201M
　　制造商：Littelfuse
　　封装类型：DFN-6
　　通道数：4
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：6.4V（最大值）
　　钳位电压（Vc）：10.5V @ IPP = 1A
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A
　　漏电流（IR）：小于 1μA
　　电容值（Cj）：典型值 0.7pF（在 1MHz 下）
　　ESD 抑制能力：±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　响应时间：小于 1ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS、AEC-Q101（部分版本）

LF80538NE0201M 具备卓越的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应并泄放过量能量，有效防止下游电路因静电放电或电压浪涌而损坏。其核心优势之一是超低动态电阻和亚纳秒级响应速度，这使得它能在 ESD 事件发生的瞬间迅速将电压钳制在安全水平，从而保护 CMOS 工艺制成的集成电路免受高压冲击。该器件采用先进的硅基工艺制造，具有稳定的电气特性和长期可靠性。其极低的结电容（典型值仅为 0.7pF）使其非常适合用于高速数据传输接口，例如 USB 2.0、HDMI、MIPI、SDIO 和其他高频信号线路，在不影响信号完整性的情况下实现高效保护。此外，集成式多通道设计减少了 PCB 布局面积，提高了系统集成度，降低了整体物料成本和组装复杂性。该 TVS 阵列还具备良好的热稳定性，在连续多次瞬态冲击下仍能维持性能不变，并且拥有很低的漏电流，有助于降低待机功耗，延长电池供电设备的续航时间。器件结构上采用了优化的内部布局，减少寄生电感，进一步提升高频下的保护效果。所有引脚均经过严格测试，确保与自动贴片设备兼容，适合大规模自动化生产。整体而言，LF80538NE0201M 在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代精密电子系统中理想的 ESD 保护解决方案。
　　值得一提的是，该器件通过了 IEC 61000-4-2 国际标准的最高级别（Level 4）认证，支持 ±30kV 接触放电和 ±30kV 空气放电，表明其在极端 ESD 条件下仍能可靠工作。这种级别的防护能力对于暴露在人体直接操作环境中的端口（如耳机插孔、USB 接口、按键等）至关重要。同时，其低钳位电压特性意味着即使在大电流瞬态事件中，输出端电压也能被限制在 IC 可承受范围内，避免逻辑错误或永久性损伤。与其他同类产品相比，LF80538NE0201M 在相同封装下提供了更优的电容匹配性和一致性，减少了信号失真风险。其 DFN 封装还具备良好的散热性能，有助于在多次瞬态事件后快速恢复。总之，这款 TVS 阵列为设计师提供了一种高性能、小体积、高兼容性的电路保护方案，特别适用于追求轻薄化与高可靠性的终端产品。

该器件广泛应用于各类需要高等级 ESD 保护的便携式和固定式电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的 USB Type-C、Micro-USB、音频接口、SIM 卡槽、TF 卡接口以及触摸屏信号线的防护；在笔记本电脑和超极本中用于 HDMI、DisplayPort、USB 和键盘背光控制线路的瞬态抑制；也可用于工业传感器模块、医疗监测设备、智能家居控制面板和物联网网关中的通信接口保护。由于其符合 AEC-Q101 标准的部分版本，因此也适用于车载信息娱乐系统、车载摄像头模块和车内 USB 充电端口等汽车电子领域。此外，该 TVS 阵列还可用于保护 RS-232、I2C、SPI、UART 等低速但易受干扰的数字信号线路，防止因外部静电或电源波动引起的误动作或芯片损坏。在高密度 PCB 设计中，LF80538NE0201M 的小型化封装有助于节省宝贵的布板空间，同时简化了 EMI/EMC 设计流程，帮助产品更快通过电磁兼容性认证。其高集成度特性使其成为多通道信号保护的理想选择，尤其适合那些需要在同一区域内集中处理多种接口信号的复杂系统。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制系统中，只要存在对外连接端口或用户可接触的金属部件，LF80538NE0201M 都能提供坚实可靠的前端保护屏障。

SP1006-01UTG
　　TPD1E10B06DPYR
　　ESD9L5.0ST5G