GA1812Y683MBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET,属于 N 沁道体管系列。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场合。
该型号设计用于高效率电源转换和电机驱动领域,其封装形式为 TO-247-3,支持大电流和高电压操作,同时具备出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:24A
导通电阻(典型值):0.04Ω
栅极电荷:80nC
总电容:1500pF
工作结温范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:TO-247-3
GA1812Y683MBAAT31G 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 出色的热稳定性,确保在极端温度条件下也能可靠运行。
4. 强大的抗雪崩能力和短路耐受能力,增强了器件的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
这些特性使其成为工业、汽车以及消费类电子产品中高效功率管理的理想选择。
该功率 MOSFET 广泛应用于多个领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机等。
3. 逆变器和 UPS 系统中的功率级控制。
4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 各种工业自动化设备及负载切换应用。
其高效率和强可靠性使得它非常适合要求严格的电力电子设计。
GA1812Y683MBAAQ31G, IRFP260N, STP24NF65