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GA1812Y564MXAAR31G 发布时间 时间:2025/6/19 8:12:05 查看 阅读:3

GA1812Y564MXAAR31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于射频通信领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、低噪声和出色的线性度特性。其设计旨在满足现代无线通信系统对高效能和稳定性的严格要求。

参数

型号:GA1812Y564MXAAR31G
  工作频率范围:1.8GHz 至 2.2GHz
  输出功率:30dBm(典型值)
  增益:20dB(典型值)
  电源电压:5V
  静态电流:200mA
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1812Y564MXAAR31G 芯片以其卓越的性能在射频功率放大领域占据重要地位。
  1. 高效率:该芯片能够在高输出功率下保持较高的能量转换效率,从而降低功耗并减少热量积累。
  2. 宽带设计:支持从 1.8GHz 到 2.2GHz 的宽频率范围,适用于多种无线通信标准。
  3. 内置匹配网络:芯片内部集成了输入和输出端的匹配电路,简化了外部设计复杂度。
  4. 稳定性强:即使在极端环境条件下,该芯片也能提供稳定的性能表现。
  5. 易于集成:紧凑的 QFN-16 封装使其非常适合空间受限的应用场景。
  这些特点使得 GA1812Y564MXAAR31G 成为众多射频前端模块的理想选择。

应用

该芯片主要用于以下领域:
  1. 无线通信基站:作为基站射频前端的关键组件,提供高功率信号放大的功能。
  2. 移动终端设备:如智能手机和平板电脑中的 Wi-Fi 和蜂窝网络模块。
  3. 物联网 (IoT) 设备:用于远距离数据传输,确保信号强度和可靠性。
  4. 工业与医疗设备:在需要稳定射频信号放大的场合中发挥重要作用。
  GA1812Y564MXAAR31G 凭借其强大的性能,在这些领域展现了显著的优势。

替代型号

GA1812Y564MXAAR32G, GA1812Y564MXAAR33G

GA1812Y564MXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.56 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-