晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

LDTB113EWT1G的主要特性在于其内置的基极-发射极电阻设计，使得晶体管在使用时无需外接偏置电阻，从而减少了PCB板上的元件数量，提高了电路的可靠性。该晶体管具有较高的开关速度和良好的频率响应，适合用于高频开关电路和数字逻辑电路。此外，其较高的VCEO电压（50V）使其适用于多种电源管理和信号处理应用。
　　该晶体管的hFE（电流增益）范围较宽，从110到800不等，具体数值取决于其等级标识（如Y1、Y2等）。这种灵活性使得设计人员可以根据不同的应用需求选择合适的晶体管等级，以优化电路性能。同时，LDTB113EWT1G的SOT-23封装具有较小的体积，适合在空间受限的电路板上使用。
　　在热性能方面，LDTB113EWT1G的热阻（RθJA）约为417°C/W，意味着在无散热片的情况下，晶体管在正常工作时仍能保持良好的热稳定性。这使其适用于低功耗便携式设备、传感器接口电路以及工业控制系统。

LDTB113EWT1G广泛应用于各种电子设备和系统中，特别是在需要中低功率开关和信号放大的场合。例如，在数字电路中，该晶体管可作为逻辑门的驱动器或电平转换器；在电源管理系统中，它可用于控制LED背光、继电器或小型电机的开关操作；在通信设备中，LDTB113EWT1G可作为射频（RF）信号的放大器或调制器。
　　此外，该晶体管还适用于各种传感器接口电路，如温度传感器、光敏传感器和压力传感器等。在这些应用中，晶体管可以作为信号放大器，将传感器输出的微弱信号放大到合适的电平，以便后续的ADC转换或处理电路进行分析。
　　由于其SOT-23封装体积小巧，LDTB113EWT1G也常用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、穿戴设备和物联网（IoT）设备中。在这些设备中，晶体管可用于控制各种外围模块的电源状态，实现低功耗运行。

MMBT3904LT1G, 2N3904, BC847, 2N2222A