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HM628512BLPI-7 发布时间 时间:2025/9/7 3:24:19 查看 阅读:6

HM628512BLPI-7是一款由HITACHI(现为Renesas)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM),属于异步SRAM类别。该器件具有512Kbit的存储容量,组织形式为512K x 1位,适用于需要快速数据访问和低功耗设计的嵌入式系统和工业应用。该芯片采用CMOS工艺制造,具有高速存取能力,并支持低功耗待机模式。

参数

容量:512Kbit
  组织结构:512K x 1
  访问时间:7ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据保持电压:1.5V至3.6V
  最大工作电流:120mA(典型值)
  待机电流:10mA(最大)
  引脚数:54

特性

HM628512BLPI-7是一款高性能SRAM芯片,具备7ns的极短访问时间,使其适用于高速缓存和实时数据处理系统。该芯片采用CMOS工艺,功耗较低,在活跃工作模式下电流消耗仅为120mA,待机模式下更是降低至10mA以内,非常适合对功耗敏感的应用。该器件支持1.5V至3.6V的数据保持电压范围,在断电或低电压状态下仍能保持数据完整性,适用于需要数据保持功能的电池供电系统。其TSOP封装形式体积小巧,适合空间受限的电路板设计。此外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业环境和嵌入式设备,如通信设备、网络路由器、工业控制器和测量仪器等。
  在接口方面,该SRAM芯片提供了标准的地址和数据接口,支持与多种处理器和微控制器的直接连接,无需额外逻辑电路。其异步操作模式使其在不同频率的系统中具有良好的兼容性,进一步简化了系统设计。同时,该器件具有较高的抗干扰能力和稳定性,适用于电磁环境较复杂的工业现场。此外,HM628512BLPI-7在设计上符合RoHS环保标准,适用于无铅工艺制造。

应用

HM628512BLPI-7广泛应用于需要高速数据存储和低功耗设计的系统中。典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、网络设备的数据缓冲、工业控制系统的实时数据存储、便携式仪器的数据保持存储、通信模块的数据缓存等。其TSOP封装和宽工作温度范围使其特别适合用于工业级设备、自动化控制系统和车载电子系统。此外,由于其良好的数据保持能力,该芯片也可用于需要长时间保存数据的备用存储器应用,例如智能电表、数据记录器和电池供电设备。

替代型号

CY62148EAPLL-55PSC、IS61LV25616A-10B4I、IDT71V124SA10PFG、ISSI IS6416V16A-6B

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